根據市場戰略研究公司StrategyAnalytics分析:全球無線網絡基礎設施中使用砷化鎵(GaAs)半導體的市場預計將增長,從2011年的大約2.05億美元達到2015年約為3.2億美元。
隨著移動數據消費的持續猛增,運營商正在改進其無線基礎設施網絡架構,以支持日益增長的數據需求,根據StrategyAnalytics公司(波士頓)報告。該公司的最新報告關于砷化鎵和復合半導體市場的預測,像多輸入/多輸出(MIMO)天線,異構網絡,遠程無線和小單元的發展將增加基地站部門的數量,但需要從每個部門減少發射功率。這兩個趨勢將為砷化鎵器件帶來始終如一的增長率,根據StrategyAnalytics報告。
在StrategyAnalytics的戰略技術實踐董事,AsifAnwa在一份聲明中說:“4G技術,如LTE,正在迫使網絡演變到大量的低功耗的基礎設施部門,這將增加GaAs放大器的機會。”
StrategyAnalytics的報告預測,基站部門的出貨量將增加至略多于920萬到2015年。這些部門的一半以上將用于低功耗,小單元,據預測。
“移動數據消費正在迅速推動無線基礎設施市場的一個轉折點,”EricHigham,StrategyAnalytics的GaAs和化合物半導體技術服務總監,在一份聲明中說。“運營商實現的網絡依賴更小,功耗更低的電池足跡,確保消費者繼續歡迎數據應用。這種架構擴展砷化鎵元件的機會。”
該報告還詳細介紹了天線,功率放大器,低噪聲放大器,收發器和前端組件的歷史和最新發展趨勢,StrategyAnalytics表示。它還按功能和技術將無線基礎設施放大器市場分段,按照地理,頻率和輸出功率預測基站部門數量,根據公司報告。