非揮發(fā)性相變記憶體技術(shù)長(zhǎng)久以來一直被討論是否可取代現(xiàn)有的主動(dòng)式記憶體和快閃記憶體，但迄今仍充滿爭(zhēng)議，因?yàn)楸M管多年來有許多公司相繼投入研發(fā)，但仍未達(dá)量產(chǎn)水準(zhǔn)。
　　
　　不過，盡管如此，三星的研究團(tuán)隊(duì)仍計(jì)劃在今年底(12月5~7日)的IEDM上，透過展示完全整合的20nm相變化隨機(jī)存取記憶體單元，揭示PCM和電阻式RAM的最新研究進(jìn)展。這個(gè)記憶體單元包含了創(chuàng)新的底部電極材料，這種材料主要是為了能獲得低于100mA重置電流所開發(fā)的，
　　
　　在此同時(shí)，旺宏(MacronixInternational)和IBMT.JWatson研究中心的研究人員則將提出三篇論文。Paper3.2探討具備30mA重置電流和10^9使用周期的39nm元件架構(gòu)。該團(tuán)隊(duì)在一個(gè)電極下的熱屏障中使用導(dǎo)熱效率較差的TaN。30mA的重置電流據(jù)稱已經(jīng)比前一代元件降低了90%。
　　
　　另一篇Paper3.4則說明旺宏和IBM的研究小組在鍺-銻-碲(GeSnTe，或GST)材料方面的探索成果，以及優(yōu)于GST-225材料的新發(fā)現(xiàn)。(transitiontemperature)幾乎高出100℃，因而具備更好的熱穩(wěn)定性。
　　
　　旺宏與IBM還進(jìn)一步制造了一個(gè)128Mb的元件，該元件顯示了10^8(1億)的耐用循環(huán)次數(shù)，耐受溫度則高達(dá)190℃。