日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出在一個封裝內集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIR^TM封裝，在一個緊湊的器件內同時提供了低邊和高邊MOSFET，同時保持了低導通電阻和高最大電流的特性，比使用兩個分立器件的方案節省了很多電路板空間。PowerPAIR的厚度為0.75 mm，比厚度為1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封裝薄了28%。?

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在PowerPAIR型封裝出現之前，工程師在設計用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器、游戲機的系統電源、POL、低電流DC-DC轉換器和同步降壓轉換器，以及工業系統中的DC-DC轉換器時，只能使用兩個獨立的器件來達到降低導通電阻和提高電流的目的。?

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例如，常規雙MOSFET的PowerPAK 1212-8的導通電阻大約是30mΩ，最大電流不到10A，因此不是可行的方案。單MOSFET的PowerPAK 1212-8的導通電阻降至5mΩ左右。SiZ700DT中低邊溝道的MOSFET具有類似的導通電阻，在10V和4.5V電壓下的導通電阻分別為5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為17.3A和13.9A。除此以外，高邊溝道的MOSFET在10V和4.5V電壓下的導通電阻分別為8.6mΩ和10.8mΩ，在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為13.1A和10.5A。這些指標令設計者能夠用一個器件替代原先的兩個器件，節省成本和空間，包括兩個分立MOSFET間的空隙和標識面積。在一些更低電流和更低電壓的應用中，甚至可以用PowerPAIR器件替換兩個SO-8封裝的MOSFET，至少能夠節省三分之二的空間。?

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由于兩個MOSFET已經在PowerPAIR封裝內部連接上了，電路板的布局會更加簡單，PCB走線的寄生電感也減小了，提高了系統效率。此外，SiZ700DT在引腳排列上了優化，這樣在一個典型的降壓轉換器上，輸入引腳被安排在一側，輸出引腳是在另外一側，進一步簡化了電路板布局。?

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器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定。?

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性能規格表：?

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SiZ700DT TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，將在5月實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。?

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VISHAY SILICONIX簡介?

Vishay Siliconix 是現今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統的固態開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產品的里程碑，包括在業內建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET）的功率型MOSFET和業內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT)。?

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創新的傳統不斷的衍生出新的硅技術，例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK) 和更小空間(ChipFET，MICRO FOOT)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產品還包括功率集成電路和業界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件，而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。?

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Siliconix創建于1962年，在1998年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。?

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VISHAY簡介?

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。?

PowerPAIR 是Siliconix Incorporated的商標，TrenchFET和PowerPAK 是 Siliconix Incorporated 的注冊商標。?