1 引言　　

測量儀器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)以及機(jī)器人等重要單元或關(guān)鍵部件需在非正常掉電時(shí)進(jìn)行狀態(tài)記錄和必要的系統(tǒng)配置，使用電池往往由于長期浮充致使壽命減少，且需定期更換。超級(jí)電容器（Supercapacitor）兼有常規(guī)電容器功率密度大、充電電池比能量高的優(yōu)點(diǎn)，可進(jìn)行高效率快速充放電，且可長期浮充，在大電流充放電、充放電次數(shù)，壽命等方面優(yōu)于電池，正在發(fā)展成為一種新型、高效、實(shí)用的能量儲(chǔ)存裝置，是介于充電電池和電容器之間的一種新型能源器件。本文采用超級(jí)電容器設(shè)計(jì)了高效、大電流Boost 掉電后備電源。　　

2 超級(jí)電容容量和拓?fù)涞倪x取　　

該電源實(shí)現(xiàn)短時(shí)掉電保護(hù)，其配置需要優(yōu)化，即采用盡量小的電容容量獲得盡量長的使用時(shí)間。采用Buck 結(jié)構(gòu)，效率會(huì)有所提高，但會(huì)有較大的電容電荷不能利用；采用升降壓結(jié)構(gòu)的Buck-Boost 產(chǎn)生的反壓直接利用會(huì)有困難；采用高頻變壓器隔離的拓?fù)洌诮?jīng)濟(jì)性、效率、功率密度等方面均有一定限制；綜上，本文采用了可使電容容量較為合理非隔離升壓拓?fù)洌饕夹g(shù)指標(biāo)如下：超級(jí)電容電壓可用范圍3V-5V,最大輸入電流18A~20A,輸出電壓+5V@5A,保持時(shí)間10 秒。由于掉電保護(hù)時(shí)間較短，功率元件降額使用不必太苛刻。　　

超級(jí)電容作為儲(chǔ)能元件，在正常情況下，該設(shè)計(jì)由5V 電源供電，并同時(shí)給超級(jí)電容進(jìn)行充電。當(dāng)外接電源掉電后，系統(tǒng)的所有供電需求均由超級(jí)電容完成。在此設(shè)計(jì)中超級(jí)電容部分是由兩個(gè)耐壓值為2.7V,容值為220F 的電容串聯(lián)組成，為了達(dá)到較好的均壓效果，使用了兩個(gè)1M 的電阻對(duì)兩支超級(jí)電容進(jìn)行均壓。　　

3 后備電源主功率設(shè)計(jì)　　

3.1 主功率拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)　　

主功率電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用的是Boost 升壓電路，電路如圖1 所示，主要包括超級(jí)電容，boost 拓?fù)湟约癓C 濾波三個(gè)部分。　　

Boost 功率拓?fù)渲校姼泻蚆OSFET 承受的電流較大，最大可到20 A,必須考慮MOSFET 的耐流和必要的散熱措施。電感值選取應(yīng)合適（本文選用2.2uH），由于在輸入電壓較低的情況下，需要得到必要的增益，MOSFET 和電感的內(nèi)阻會(huì)影響電壓增益，即存在最大占空比，當(dāng)占空比超過該值時(shí)，電壓增益反而下降，效率變低，易因電感電流過大，引起電感飽和，從而燒毀MOSFET 或電感。MOSFET需要導(dǎo)通阻抗較小，電感的直流阻抗也需要很小。

LC 濾波部分主要包括電感與電容，可經(jīng)過試驗(yàn)選擇濾波級(jí)數(shù)。本設(shè)計(jì)選用0.9uH 的電感作為濾波電感，濾波電容由2200uF 和0.1uF 的并聯(lián)。

圖 1 主功率電路原理圖

3.2 驅(qū)動(dòng)控制設(shè)計(jì)　　

驅(qū)動(dòng)控制采用UCC2813,開關(guān)頻率為100K,如圖2 所示，由該芯片的輸出Gate1 直接驅(qū)動(dòng)MOSFET。

4 可靠關(guān)斷電路設(shè)計(jì)　　

任務(wù)完成后能可靠下電，即下電電壓迅速且是單調(diào)下降的，關(guān)斷電路的原理如圖 3 所示，主要包括TL431 基準(zhǔn)電路，LM339 運(yùn)放比較電路兩部分，通過檢測超級(jí)電容兩端電壓，與設(shè)定及比較，形成滯環(huán)，完成電路的輸出切斷，圖中滯環(huán)比較器在電容電壓小于3. 5V 時(shí)電路關(guān)斷。