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德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實現業界最低電阻

采用5 mm x 6 mm QFN封裝并集成超低導通電阻的25 V和30 V器件
2015-01-22

    日前,德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產品線11款新型N溝道功率MOSFET,其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B,可應用于熱插拔和ORing應用。此外,TI面向低電壓電池供電型應用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設計,敬請訪問:www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn

    CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在較高電流條件下提供較高的電源轉換效率,同時在計算機服務器和電信應用中確保安全的運作。例如:25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大導通電阻,而30-V CSD17570Q5B 則實現了0.69 mΩ 的最大導通電阻。請下載閱讀一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A熱插拔參考設計,來進一步進行了解。

    TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可與面向DC/DC控制器應用的LM27403配合使用,從而構成一套完整的同步降壓型轉換器解決方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET則可與諸如TPS24720等TI熱插拔控制器配套使用。閱讀 《穩健可靠的熱插拔設計》,可進一步了解如何將一個晶體管選用為傳輸元件,以及怎樣在所有可能的情況下確保安全運作。

如下是TI 推出具有業界最低導通電阻的NexFET™ N溝道功率MOSFE。

新型 NexFET 產品及主要特點

 

器件型號

應用

Vds/Vgs

封裝 (mm)

導通電阻最大值 (m?)

Qg (4.5) (nC)

4.5V

10V

CSD16570Q5B

ORing / 熱插拔

25/20

QFN 5x6 (Q5B)

0.82

0.59

95

CSD17570Q5B

30/20

0.92

0.69

93

CSD17573Q5B

低端降壓 / ORing / 熱插拔

30/20

QFN 5x6 (Q5B)

1.45

1.0

49

CSD17575Q3

低端降壓

30/20

QFN 3.3x3.3 (Q3)

3.2

2.3

23

CSD17576Q5B

QFN 5x6 (Q5B)

2.9

2.0

25

CSD17577Q5A

高端降壓

30/20

QFN 5x6 (Q5A)

5.8

4.2

13

CSD17577Q3A

QFN 3.3x3.3 (Q3A)

6.4

4.8

13

CSD17578Q3A

9.4

7.3

7.9

CSD17579Q3A

14.2

10.2

5.3

CSD85301Q2

雙路獨立 FET

20/10

QFN 2x2 (Q2)

27

不適用

4.2

CSD13383F4

負載開關

12/10

FemtoFET 0.6x1.0 (0402)

44

不適用

2.0

 

供貨情況、封裝和價格

    目前,FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 產品可通過 TI 及其授權分銷商批量采購。

關于 TI 的 NexFET 功率 MOSFET

    TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率計算、網絡、工業和電源應用中的能量效率。此類高頻、高效率的模擬功率 MOSFET 使得系統設計人員能夠運用現有的最先進的DC/DC電源轉換解決方案。

獲取有關 TI 電源管理產品系列的更多詳情:

· 下載NexFET功率MOSFET選擇指南。

· 采用TI的WEBENCH電源設計庫在線設計一個完整的電源管理系統。

· 通過德州儀器在線支持社區的搜尋解決方案、獲取幫助并分享知識。

· 從TI Designs 參考設計庫下載電源參考設計。

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