DDR3內(nèi)存自從2007年服役以來(lái)，至今已經(jīng)走過(guò)了8個(gè)年頭。相比Intel的更新?lián)Q代步伐來(lái)說(shuō)，內(nèi)存發(fā)展可謂相當(dāng)緩慢。不過(guò)好在2014年底，各大廠商紛紛上架DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，起跳頻率達(dá)到2133MHz，標(biāo)志著DDR3時(shí)代的終結(jié)。

    DDR4內(nèi)存雖然醞釀了很長(zhǎng)時(shí)間，但是由于DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)一直遲遲未公布，廠家宣傳也很少，導(dǎo)致網(wǎng)友對(duì)DDR4內(nèi)存了解甚少。那么今天筆者就帶著大家提前進(jìn)入DDR4內(nèi)存時(shí)代。

　　DDR4與DDR3內(nèi)存差異一：處理器

    每次內(nèi)存升級(jí)換代時(shí)，必須支持的就是處理器。Haswell-E平臺(tái)的內(nèi)存同IVB-E/SNB-E一樣為四通道設(shè)計(jì)，DDR4內(nèi)存頻率原生支持2133MHz，這相較IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始頻率有不小的提升。Haswell-E作為新的旗艦提升最大兩點(diǎn)一個(gè)是6核升級(jí)8核，另一點(diǎn)是對(duì)DDR4的支持。上市初期整體成本相當(dāng)高，并且不會(huì)同時(shí)支持DDR3和DDR4內(nèi)存，所以增加了DDR4普及的門(mén)檻。

　　DDR4與DDR3內(nèi)存差異二：外型

宇瞻DDR4內(nèi)存金手指變的彎曲了，并沒(méi)有沿著直線設(shè)計(jì)，這究竟是為什么呢？一直一來(lái)，平直的內(nèi)存金手指插入內(nèi)存插槽后，受到的摩擦力較大，因此內(nèi)存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個(gè)問(wèn)題，DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡。這樣的設(shè)計(jì)既可以保證DDR4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點(diǎn)有足夠的接觸面，信號(hào)傳輸確保信號(hào)穩(wěn)定的同時(shí)，讓中間凸起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存。

接口位置同時(shí)也發(fā)生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點(diǎn)數(shù)量方面，普通DDR4內(nèi)存有284個(gè)，而DDR3則是240個(gè)，每一個(gè)觸點(diǎn)的間距從1mm縮減到0.85mm。

　　DDR4與DDR3內(nèi)存差異三：參數(shù)

　　DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps（256MB/s）的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過(guò)70％。

從宇瞻32GB DDR4-2133內(nèi)存來(lái)看，僅默認(rèn)頻率帶寬就高達(dá)48.4GB/s，可見(jiàn)DDR4對(duì)系統(tǒng)性能提升重要性。

　　另外就是其它參數(shù)的改變，比如容量和電壓。

　　DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。舉例來(lái)說(shuō)，目前常見(jiàn)的大容量內(nèi)存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達(dá)到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4將會(huì)使用20nm以下的工藝來(lái)制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動(dòng)版的SO-DIMMD DR4的電壓還會(huì)降得更低。