諾發" title="諾發">諾發系統有限公司(Novellus Systems, Inc., Nasdaq股票代碼:NVLS)日前宣布推出采用 HCM IONX?技術的INOVA NexT系統,這是諾發公司300 mm INOVA?金屬化系統的最新增強版本。HCM(中空陰極磁電管) IONX是新一代離子化物理氣相沉積(PVD)源技術" title="源技術">源技術,支持薄膜阻障層與銅種晶層的沉積,可擴展至32nm節點。作為PVD阻擋層再濺 射(barrier re-sputter)技術的先驅,諾發公司充分利用其豐富的經驗,推出了已經生產驗證的銅種晶層再濺射" title="濺射">濺射系統,這對所有的高級銅互連技術而言都是一項關鍵的需求。HCM IONX為鉭阻擋層和銅晶種層工藝提供了更出色的金屬膜鍍層、臺階覆蓋和薄膜質量。這種獨特的源技術也適用于其它薄膜的金屬化應用,包括鈦和鋁。?
由于臨界尺寸(CD)的要求日益苛刻,同時還需要更薄的銅阻擋層和晶種層,各大邏輯和存儲器的領導廠商在這方面都面臨挑戰。采用銅制程的存儲器件尤其如此,因為最難的臨界尺寸比邏輯器件" title="邏輯器件">邏輯器件早了一代的時間。HCM IONX再濺射技術是減少沉積中的膜層厚度所必需的,提供了市場上最具擴展性的種晶層。?
HCM IONX技術能產生高密度的等離子體,可通過提高臺階覆蓋與薄膜質量增強銅互連性能。由于諾發公司在源技術方面的創新,等離子體的密度增加了四倍,并有效控制了到達晶圓的電離通量。諾發公司在實現上述技術進步的同時,以最低的擁有成本實現了世界級的生產率與缺陷控制。采用HCM IONX技術的INOVA NExT系統,目前正在接受多家存儲器與邏輯器件制造商的認證,另外一些客戶已經采用了該產品。?
“客戶對HCM IONX的反饋是非常積極的,這清楚地表明了該技術正在為銅晶種層的擴展性制定基準。”諾發公司高級副總裁兼金屬互連事業部總經理David Smith先生表示,“我們的銅晶種層再濺射技術能夠很好地讓擁有領先技術的制造商滿足產品臨界尺寸的需求,特別是當存儲器件互連向銅過渡的情況下。HCM IONX是諾發公司不斷創新擴展技術、實現最低擁有成本的又一范例。”?
關于 INOVA NExT?
INOVA NExT是針對銅阻擋層/晶種層以及鋁質應用的300mm" title="300mm">300mm金屬化系統。INOVA NExT 是對諾發成功的 INOVA 平臺的擴展,該系統采用先進的物理氣相沉積技術、離子誘導原子層沉積技術 (iALD) 以及廣泛的制造工藝創新,將全球各大半導體企業的生產力水平提高到新的高度。?
諾發公司簡介:
諾發系統有限公司(Novellus Systems, Inc., Nasdaq股票代碼:NVLS)是全球領先的半導體工藝設備供應商。通過創新性新技術的開發和值得信賴的高生產效率的支持,該公司的產品能夠為客戶提供最大的價值。諾發是一家標準普爾500指數公司,總部位于加州圣何塞,分支機構跨越全球各個國家和地區。有關諾發公司的更多信息,請訪問網站www.novellus.com。?