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力晶打造物聯(lián)網(wǎng)iRAM芯片 轉(zhuǎn)型之路避開臺(tái)積電

2015-03-31

       力晶成功轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠,更瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)商機(jī)推出iRAM解決方案,整合嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、ARM架構(gòu)處理器芯片和通訊技術(shù)成為SoC整合型芯片,預(yù)計(jì)下半年出貨,全面擁抱物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨。

       力晶現(xiàn)在渾身上下都是“晶圓代工魂”,DRAM產(chǎn)品對(duì)力晶而言只是眾多布局的一小塊,除了繼續(xù)替臺(tái)系IC設(shè)計(jì)公司晶豪、鈺創(chuàng)、力積等代工SDRAM芯片,以及協(xié)助存儲(chǔ)器模組大廠金士頓(Kingston)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM芯片外,力晶旗下的12吋晶圓廠已經(jīng)全面擁抱晶圓代工產(chǎn)品線。

       有別于一般晶圓代工廠只專注于生產(chǎn)制造而不涉及設(shè)計(jì),力晶比較像是整合元件廠(IDM),同時(shí)有設(shè)計(jì)和制造兩個(gè)部分,旗下包括面板驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片、影像感測(cè)器(CIS)、NFC芯片、車用存儲(chǔ)器、物聯(lián)網(wǎng)芯片等,可為客戶量身訂作客制化芯片,也可以直接提供整合型芯片給客戶采購(gòu)。 

       迎接物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代,臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際半導(dǎo)體等陸續(xù)揭橥布局計(jì)劃,從打造技術(shù)平臺(tái)、制程完整度,到扮演伯樂(lè)物色具有潛力的新創(chuàng)公司都是目標(biāo)。力晶也是默默鴨子滑水,集結(jié)旗下制程平臺(tái)的技術(shù)優(yōu)勢(shì),為物聯(lián)網(wǎng)打造專用的iRAM芯片,成果有機(jī)會(huì)在2015年浮上臺(tái)面。

       所謂的iRAM芯片,是集合物聯(lián)網(wǎng)所需要的三大技術(shù)優(yōu)勢(shì),分別為低功耗的ARM架構(gòu)處理器芯片、嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash),以及Bluetooth 4.0/NFC/Wi-Fi通訊芯片,將這三種技術(shù)做成一顆整合型芯片,目前研發(fā)進(jìn)度順利,傳出下半年會(huì)進(jìn)入量產(chǎn)。

       物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)芯片極重視低功耗,因此采用ARM架構(gòu)處理器芯片,臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際等也打造超低功耗制程平臺(tái)(Ultra-Low Power Platform),但屬于特殊制程的eFlash技術(shù)的重要性,在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代,其實(shí)不亞于低功耗扮演的角色。

       半導(dǎo)體業(yè)者分析,多數(shù)半導(dǎo)體晶圓代工廠在eFlash技術(shù)上都不夠扎實(shí),尤其是新崛起的大陸半導(dǎo)體廠eFlash技術(shù)實(shí)力都不夠,即使是授權(quán)自SST等IP業(yè)者以快速取得eFlash技術(shù),也可能因?yàn)榱慨a(chǎn)的晶圓片數(shù)不夠面臨技術(shù)瓶頸,未來(lái)需要更多的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)來(lái)證明技術(shù)的可行性。

       力晶因?yàn)橐恢庇蠳AND Flash芯片產(chǎn)品,因此在整合eFlash技術(shù)上已經(jīng)有一定的基礎(chǔ),在進(jìn)入此技術(shù)領(lǐng)域上相當(dāng)順利。

       力晶靠著從存儲(chǔ)器廠轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠,2014年獲利超過(guò)新臺(tái)幣100億元,2015年獲利達(dá)新臺(tái)幣120億~130億元,2016年預(yù)計(jì)也將獲利超過(guò)百億元,創(chuàng)下獲利連續(xù)3年超過(guò)百億元的紀(jì)錄,日前向銀行團(tuán)籌組新臺(tái)幣150億元的貸款,借此終結(jié)長(zhǎng)期紓困。 

       DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)走向穩(wěn)定期,價(jià)格起伏有限,經(jīng)歷近期價(jià)格修正后,下半年DRAM價(jià)格會(huì)逐漸趨于穩(wěn)定,尤其2015年預(yù)計(jì)有三星電子(Samsung Electronics)Galaxy S6和蘋果(Apple)的iPhone 6S系列新機(jī)問(wèn)世,將會(huì)轉(zhuǎn)用3GB和2GB的Mobile DRAM芯片,也帶動(dòng)許多標(biāo)準(zhǔn)型DRAM芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)到Mobile DRAM芯片上,帶動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM芯片跌勢(shì)趨緩。

       另外,力晶的NAND Flash芯片持續(xù)出貨,臺(tái)系存儲(chǔ)器廠陸

       續(xù)切入低容量的NAND Flash領(lǐng)域,力晶和華邦、旺宏三家臺(tái)廠成為臺(tái)灣NAND Flash芯片三劍客,力晶也提供NAND Flash芯片給客戶做成MCP芯片,主打智能型手機(jī)市場(chǎng)。


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