微芯(Microchip)透過其子公司Silicon Storage Technology(SST)與GLOBALFOUNDRIES宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55奈米(nm)低功耗強(qiáng)化型(LPx)/RF平臺的SST 55nm嵌入式SuperFlash非揮發(fā)性記憶體(NVM)產(chǎn)品已通過全面認(rèn)證并開始投放市場。
GLOBALFOUNDRIES結(jié)合分離閘極單元設(shè)計(jì)的55nm SuperFlash技術(shù)的制程認(rèn)證測試采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，這一制程技術(shù)也符合AEC-Q100 1級認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)境溫度范圍為-40~125°C，耐用度達(dá)到100K燒寫/抹除次數(shù)，在150°C條件下可實(shí)現(xiàn)超過20年的資料保存年限。
根據(jù)IHS預(yù)測，2015年汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到310億美元，相較于2014年增幅可高達(dá)7.5%。而基于嵌入式快閃記憶體的半導(dǎo)體產(chǎn)品則在這一市場占有相當(dāng)大的比重。
配備eNVM技術(shù)GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平臺現(xiàn)已上市。該平臺技術(shù)備有一個(gè)自訂庫，包含針對特定微控制器(MCU)產(chǎn)品應(yīng)用有現(xiàn)成且經(jīng)優(yōu)化的eNVM IP模組，是一款可縮短產(chǎn)品開發(fā)周期的解決方案。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。