在數(shù)據(jù)中心、廣播、固網(wǎng)和高性能計算這類需要處理大量計算的系統(tǒng)中，一個很關鍵的制約因素就是存儲器帶寬。現(xiàn)實情況是，系統(tǒng)需要處理的數(shù)據(jù)量在不斷攀升，而存儲器子系統(tǒng)所能提供的帶寬與系統(tǒng)要求的帶寬差距卻越來越大，現(xiàn)有的DDR3、DDR4等存儲技術遠遠跟不上系統(tǒng)對帶寬需求的增加。

    為有效解決這類問題，充分滿足機器學習、大數(shù)據(jù)分析、圖像識別、工作負載加速和8K視頻處理這些應用場合對系統(tǒng)帶寬的需求，Altera于日前公開了業(yè)界第一款異構系統(tǒng)級封裝SiP器件，該器件集成了HBM2 DRAM以及Altera最新一代Stratix 10 FPGA和SoC。在單個封裝中同時實現(xiàn)了業(yè)界性能最好的FPGA和寬帶存儲器。與傳統(tǒng)的分立的DRAM解決方案相比，SiP DRAM最大可能地縮小了DRAM器件與FPGA之間的引腳距離，從而有效縮短了數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r間，將存儲器帶寬提高了10倍。

    Altera公司產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)Patrick Dorsey對SiP DRAM的描述是這樣的：“Altera將突破性的3D堆疊存儲器技術和業(yè)界領先的14nm Stratix 10 FPGA集成在一個封裝內(nèi)，在性能、功耗和存儲器帶寬上，遠遠超過了其他可編程解決方案。這是一個蛙跳式的進步。”

    Stratix 10 DRAM SiP的優(yōu)勢還在于：（1）使用Intel的嵌入式多芯片互聯(lián)橋接EMIB技術來實現(xiàn)。EMIB技術的芯片之間走線非常短，與采用中介層的解決方案相比，性能更好、傳輸量更大、而功率消耗更低；（2）Stratix 10 DRAM SiP器件的設計環(huán)境，包括軟件和硬件的開發(fā)流程和開發(fā)方式與Altera的其他FPGA和SoC器件是一致的，讓系統(tǒng)工程師的開發(fā)工作更簡便；（3）Stratix 10 DRAM SiP支持使用者以高功率效益的方式訂制其工作負載，獲得最大內(nèi)存帶寬。目前，在全球，尤其是中國和亞太地區(qū)市場，高性能計算、軍用雷達、廣播、8K高清視頻、網(wǎng)絡數(shù)據(jù)包傳輸與共享這類需要高帶寬的密集型應用需求急劇上升，因此，Stratix 10 DRAM SiP期間的市場需求非常可觀。

    Stratix 10 DRAM SiP代表了新一類器件，對Altera來說，它僅僅是Altera異構SiP策略的一個開始，未來還將嘗試將處理器、模擬芯片、光模塊、ASIC以及其他硬核協(xié)議與FPGA集成到一個封裝中，且在該領域也將保持持續(xù)領先。