矽智財(IP) 授權(quán)廠商ARM與臺積電共同宣布一項為期多年的協(xié)議，針對7奈米FinFET制程技術(shù)進行合作，包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設計解決方案。這項新協(xié)議將擴大雙方長期的合作夥伴關(guān)系，推動先進制程技術(shù)向前邁進，超越行動產(chǎn)品的應用并進入下一世代網(wǎng)路與資料中心的領(lǐng)域。另外，這項協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan基礎實體IP之16奈米與10奈米 FinFET 的合作。

　　ARM 執(zhí)行副總裁暨產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理 Pete Hutton 表示，既有以ARM為基礎的平臺已展現(xiàn)提升高達10倍運算密度的能力，支援特定資料中心的工作負載，未來ARM特別為資料中心與網(wǎng)路架構(gòu)量身設計，并針對臺積公司 7奈米 FinFET 進行優(yōu)化的技術(shù)，將協(xié)助雙方客戶在各種不同效能產(chǎn)品上皆能使用業(yè)界最低功耗的架構(gòu)。

　　臺積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清指出，臺積電持續(xù)投入先進制程技術(shù)的研發(fā)以支援客戶事業(yè)的成功，藉由7奈米 FinFET制程，該公司的制程與設計生態(tài)環(huán)境解決方案已經(jīng)從行動擴大到高效能運算的應用。客戶設計的下一世代高效能運算系統(tǒng)單晶片將受惠于臺積電的 7奈米 FinFET制程。

　　侯永清強調(diào)，相較于10奈米 FinFET 制程，7奈米FinFET制程將在相同功耗下提供更多的效能優(yōu)勢，或在相同效能下提供更低的功耗。ARM 與臺積電共同優(yōu)化的解決方案將能夠協(xié)助客戶推出具有顛覆性創(chuàng)新且市場首創(chuàng)的產(chǎn)品。

　　據(jù)悉，此項最新協(xié)議奠基于 ARM 與臺積電先前在16奈米 FinFET 與 10奈米 FinFET 制程技術(shù)成功的合作基礎之上。雙方長期保持合作，以提供先進制程與矽智財來協(xié)助客戶加速產(chǎn)品開發(fā)周期。近期成果包括客戶及早使用Artisan實體IP及采用 16奈米 FinFET 與 10奈米 FinFET 制程完成的 ARM Cortex-A72 處理器設計定案。