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中關村順義園第三代半導體創新基地動工

2016-08-16

       近日,第三代半導體材料及應用聯合創新基地(以下簡稱創新基地)奠基儀式在中關村順義園舉行。科技部、北京市科委以及來自科研院所、企業、投資等領域的專家以及單位代表共100多人出席并見證了奠基儀式。

  該基地的創建定位于第三代半導體材料及應用產業的全球創新策源地、人才集聚地、技術輻射地、創業成功地,是北京市政府、國家半導體照明工程研發及產業聯盟在優勢互補、資源共享的基礎上,整合政府、行業、研究機構和社會資本等資源要素共同建設。

   創新基地主要目的是通過會聚全球創新創業人才,以專業化、市場化、國際化的運營方式打造第三代半導體的開放式創業生態系統,實現第三代半導體關鍵技術重大突破,形成產業聚集,成為國內有影響的第三代半導體生產基地,搶占半導體產業制高點。這是落實北京市建設全國科技創新中心的戰略定位的重大舉措。

  創新基地由北京國聯萬眾半導體科技有限公司負責建設和運營。啟動儀式上,北京國聯萬眾半導體科技有限公司同啟迪控股股份有限公司、美國Rayvio公司、荷蘭代爾夫特理工大學分別簽訂了合作協議。

   第三代半導體聯合創新孵化中心與入駐孵化器企業代表舉行簽約儀式,基地一期目前已有擬入駐企業18家,其中北京瑞玉紫外科技有限公司、北京智慧光達通信 科技有限公司、北京戴爾夫特電子科技有限公司、北京三個太陽電子科技有限公司、北京創變網絡電子科技有限公司、北京智芯互聯半導體有限公司、北京易麥特電子商務有限公司、北京佳美嘉業光電科技有限公司等8家企業簽約,形成了引領和營造“大眾創業、萬眾創新”的良好氛圍,為順義加快推進產業轉型升級、實現創 新驅動發展奠定了良好的基礎。

  目前開工的是該基地一期A,建筑面積30000多平方米,計劃投資近9000萬元,預計2017年底前即可竣工。

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