《電子技術(shù)應(yīng)用》
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西數(shù)開始生產(chǎn) 64層 512 Gb 3D NAND 閃存芯片

2017-02-08
關(guān)鍵詞: 西部數(shù)據(jù) 3D NAND TLC

西部數(shù)據(jù)(WD)于今日(7 日)宣布其已開始生產(chǎn)業(yè)內(nèi)最密集的 3D NAND 閃存芯片,堆疊達到了 64 層。當然,每單元存數(shù)比特位數(shù)也從 2 增加到了 3(說白了就是從 MLC 變成了 TLC)。

西數(shù)及其合作伙伴東芝將其“垂直 3D 堆疊技術(shù)”稱作Bit Cost Scaling(簡稱 BiCS),而西數(shù)方面也已開產(chǎn)首批 64 層 512 Gb 的 3D NAND 芯片。

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(圖片來源:東芝)

其生產(chǎn)過程與摩天大樓的建造類似,能夠在較小的地面上組合出密集的結(jié)構(gòu),使得每 Gb 的成本效益更加明顯。此外,這項技術(shù)還增加了數(shù)據(jù)可靠性、以及固態(tài)存儲速度。

3D NAND 讓制造商們可以克服 NAND 閃存的物理限制,因為隨著晶體管尺寸接近 10nm,其進一步收縮的能力將迅速消散。

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▲ 西數(shù) BiCS 3D NAND 閃存結(jié)構(gòu)圖(64 層堆疊)

最新 3D NAND 閃存已經(jīng)用到了一片外形如同口香糖般大小、但容量高達 3.3 TB 的固態(tài)硬盤(SSD)驅(qū)動器上。如果采用 2.5 英寸的外形,其容量更可輕松超過 10 TB 。

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除了三星和東芝,英特爾和鎂光也在生產(chǎn) 3D NAND 產(chǎn)品。

三星是首家宣布量產(chǎn) 3D 閃存芯片的企業(yè)(2014 年),其技術(shù)被命名為 V-NAND,起初只堆疊了 32 層,但也將存儲位元從 MLC 改進到了 TLC。所以其 TLC 產(chǎn)品的容量(128 Gbits / 16 GB)比東芝初代 48 層 NAND 芯片還要高)。

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西數(shù)于 2016 年 7 月首次向公眾展示了其 64 層 3D NAND 技術(shù),新芯片已于日本四日市制造工廠開始試產(chǎn),該公司計劃在 2017 年 下半年開始量產(chǎn)。


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