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3D NAND良率影響NAND Flash整體市場發展

2017-02-27
關鍵詞: NAND 良率

據海外媒體報道,去年下半年以來NAND Flash市場供不應求,主要關鍵在于上游原廠全力調撥2D NAND Flash產能轉進3D NAND,但3D NAND生產良率不如預期,2D NAND供給量又因產能排擠縮小,NAND Flash市場出現貨源不足問題,價格也因此明顯上漲。

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不過,隨著3D NAND加速量產,下半年產能若順利開出,將成為NAND Flash市場最大變數。

2D NAND Flash制程持續往1y/1z納米進行微縮,如三星及SK海力士去年已轉進14納米,東芝及西部數據(WD)進入15納米,美光導入16納米等。但因芯片線寬線距已達物理極限,2D NAND技術推進上已出現發展瓶頸,用1y/1z納米生產的2D NAND并未出現成本效益,因此,NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND,但也因產能出現排擠,NAND Flash產出量明顯減少,導致下半年價格強勁上漲。

去年NAND Flash價格自第2季開始全面回升,漲勢直達年底,主流的SSD價格漲幅超過4成,eMMC價格最高逼近6成,完成出乎市場意料。在此一情況下,原廠為了維持競爭優勢,決定加速搶進3D NAND市場,而今年亦成為3D NAND市場成長爆發的一年,產能軍備競賽可說是一觸即發。

以各原廠的技術進展來看,三星去年進度最快已成功量產3D NAND,去年底出貨占比已達35%,最先進的64層芯片將在今年第1季放量投片,3D NAND的出貨比重將在本季達到45%。另外,三星不僅西安廠全面量產3D NAND,韓國Fab 17/18也將投入3D NAND量產。

包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業者,去年是3D NAND制程轉換不順的一年,良率直到去年底才見穩定回升,生產比重均不及1成。不過,今年開始3D NAND量產情況已明顯好轉,東芝及WD已開始小量生產64層芯片,今年生產主力將開始移轉至64層3D NAND,除了Fab 5開始提高投片外,Fab 2將在本季轉進生產64層3D NAND,Fab 6新廠將動土興建并預估2018年下半年量產。

SK海力士去年在36層及48層3D NAND的生產上已漸入佳境,M12廠已量產3D NAND,今年決定提升至72層,將在第1季送樣,第2季進入小量投片,而韓國M14廠也將在今年全面進入3D NAND量產階段。

美光與英特爾合作的IM Flash已在去年進行3D NAND量產,去年底第二代64層3D NAND已順利送樣,今年將逐步進入量產,F10x廠也會開始全面轉向進行3D NAND投片。英特爾大陸大連廠則已量產3D NAND,并將在今年開始量產新一代XPoint存儲器。


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