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臺積電公開回復:東芝競標案和3nm廠選址

2017-04-17
關鍵詞: 半導體 NAND Flash 晶圓

臺積電13日的法說會中,針對近期兩大熱門議題:日本半導體大廠東芝NAND Flash部門競標案、先進制程3奈米晶圓廠的選址,一一對外界做最新的回覆。

自從臺積電董事長張忠謀公開表示,考慮參與日本半導體大廠東芝(Toshiba)競標案后,臺積電對該案的態度備受市場關注,尤其參與競標者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。

臺積電13日指出,內部確實評估過該案,但最后決定不去參與競標,主要是兩大原因,第一,內部認為這種標準型記憶體的商業模式和邏輯產業很不一樣,第二是認為這樣做并沒有太多綜效,因此,臺積電沒有參與,且強調假使臺積電參與其中,也會自己去競標,不會是呼朋引伴的景象,間接否認和鴻海一同競標的猜測是不正確的。

針對記憶體技術的布局,臺積電表示,對于標準型獨立式的記憶體晶片如PC DRAM晶片、NAND Flash晶片等并沒有興趣,但是對于嵌入式記憶體技術的布局,則是下了很大功夫。

臺積電目前是全球最大的嵌入式記憶體技術提供者,用在邏輯制程平臺上,做晶圓代工,像是新式記憶體技術如ReRAM、MRAM等,臺積電都有這些嵌入式記憶體技術,且因為28奈米以下,傳統的嵌入式記憶體技術會有瓶頸,MRAM是很好接棒的技術人選,臺積電已經在提供該技術使用在邏輯制程上了!

針對另一個熱門議題,也就是臺積電3奈米制程的選址案,因為之前傳出臺積電基于穩定和充足的水、電供應考量,有意到美國設立3奈米制程晶圓廠。

臺積電指出,延續之前董事長張忠謀說法,不排除任何可能性,但在美國設晶圓廠并不是最理想的選擇,希望有更多地點可以選。


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