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Gartner:存儲器泡沫將于2019年破裂

2017-07-17
關鍵詞: 存儲器 NAND

  信息技術研究與咨詢機構Gartner預測稱,雖然今年全球半導體銷售額首次超過4000億美元,但到2019年,繁榮景象將會消失。

  Gartner研究副總裁安德魯?諾伍德(Andrew Norwood)推測稱,“企業們在儲存器市場大量投資,但之后將再次失去這些利潤。據推測,隨著儲存器供應商增加新的供應量,存儲器市場泡沫將于2019年破裂。這也意味著三星電子將失去在今年和來年取得的許多收益”。Gartner分析認為,雖然三星電子目前享有商機,但由于半導體行業的特性,后起公司在日后的供應量將會增加,從而導致價格下降,營業利潤減少。各企業都在大規模投資半導體行業,因此正在形成供不應求和供過于求的周期循環。

  對于今年半導體的超繁榮景象,Norwood副總裁諾伍德表示“儲存器的缺乏造成了整個市場的繁榮景象。存儲器制造企業提高了動態隨機存儲器(DRAM)和NAND的價格,同時這些企業的銷售額和收益也有所增加。預計最大的存儲器廠商三星電子將會成為最大的受益者”。三星電子公布,最近第二季度初步業績銷售額為60萬億韓元,營業利潤達14萬億韓元。

  Gartner也推測稱,2017年全球半導體銷售額與去年相比將增長16.8%,達4014億美元。這將是自2010年后時隔七年再次超過3000億美元。

  存儲產業迎來一個轉折點

  隨著物聯網的興起和數據中心的新機遇,需求似乎相對確定。但是供應怎么樣?更大的密度與持續的技術進步可能嚇到了一些人,但常常被人遺忘的是,從平面到3D的初始轉換會增加40%的芯片成本,此后每一步推進的過程再從晶圓供應中減去10-15%。

  總之,當行業最終將平面晶圓轉換為2019年的第3代(在某些情況下是第4代)時,2016年130萬wpm的NAND容量將縮小到僅500kwpm。

  毫無疑問,NAND行業正在增加3D的容量——鎂光和英特爾各自建立了新的3D制造廠,其他供應商也在增加。但問題是,行業紀律一直保持得很好。除此之外,我們面臨著平面轉換的中斷和3D產量的問題,所有這些因素的結合使得2017年NAND比特的增長低于40%的復合年均增長率。

  根據預測,排除現在的需求關系(即需求趨勢為40-45%的復合年均增長率),行業未來的供應動力應當是以下因素的函數:

  (1)晶圓廠設備供應商將更強的蝕刻帶來,使得芯片層數在2018年內超越64層。

  (2)字符串堆疊(String stacking)在3-4層的堆疊中有效。

  (3)3D產量提高到與平面產量相等(90% +),只有老牌廠商在吹噓這一點。

  (4)東芝的收購時間是否嚴重拖延了Flash Ventures的Fab 6。

  如果所有這些因素都圓滿解決,那么在2019年或2020年,行業可能處于供過于求的狀況。如果問題并未解決,那么45%的需求很有可能壓倒超過15-20%的供給量。現實應該在中間的某個地方,所以折中一下,我同意老牌廠商的同伴給出的幾率。

  無論如何,三星將得到40%的份額,但是鎂光和英特爾可以從東芝、西部數據和SK海力士取得更多份額,前提是沒有其他變化影響總供給方程。就我個人而言,(正如我所寫的),我覺得需求將超過目前的估計,但即使我的樂觀預測不成立,情況也是行業的健康牢牢掌握在供應商手中。即使所有的技術推動因素都實現了,對于供應商的稍許約束也將保持行業良好的利潤。

  長江存儲的“攪局”

  正是在這種普遍積極的背景下,最近傳出了長江存儲技術(YMTC)大型晶圓廠在2019年投產的新聞。根據Digitimes發布于3月15日的報告,基本上是YMTC公司的總裁兼首席執行官Simon Yang的言論片段。摘要如下:

  據Yang所言,YMTC正在從事32層3D NAND閃存芯片的開發,它將在2019年全面生產。該公司旨在到2020年在技術方面趕上世界領先的內存供應商。

  那么,你可能會問,YMTC是誰? 福布斯最近的一篇文章很好地總結了相關的事實:

  2014年,中國政府宣布將在2025年投資1500億美元,將國產集成電路在國內市場中的比重從9%擴大到70%。這促成了中國最大的芯片制造商長江存儲技術(YMTC)的成立,7月,它由國有企業清華紫光和XMC共同創立。

  大家認為,這顯然是一個令人沮喪的報告。

  長江存儲公司的新存儲器半導體制造廠最近在中國湖北省武漢市東湖新技術開發區破土動工。該工廠將建立三個3D NAND生產線,并將于2018年實現量產。該工廠計劃到2020年每月生產30萬片12英寸晶圓。

  所以,如果你接受Yang的觀點,那么不僅行業將在2020年面臨一個新的競爭對手,其規模大于當前除三星外的所有廠商,而且它擁有與之相稱的技術和無限的國有資本引導支持。這怎么可能呢?

  盡管中國政府意圖在這方面投入巨資是事實,但上述兩點只是幻想而已。新聞稿可能輕信了Yang所聲稱的中國政府為YMTC投入巨資,這完全是一派胡言。讓我們考慮一下影響,并用數學計算一下,以便更好地了解這里發生了什么。

  首先,請記住,當YMTC與Spansion(即現在的賽普拉斯半導體公司)合作創建3D NAND產品時,它僅有的閃存制造經驗是將XMC作為Spansion公司NOR產品的代工廠。YMTC的前身中沒有任何機會可以接近當今最先進的、大規模和復雜的3D NAND晶圓。

  當然,Yang 是一位半導體技術資深人士,我們當然可以假設他招募到了經驗豐富的工作人員,其中一些人很可能來自各種存儲器供應商。關鍵是,他的團隊(最終將是成千上萬名工作人員)完全沒有共同完成大規模生產NAND芯片所需的無數復雜步驟的經驗。我們姑且相信他們,因為設備供應商無疑可以為YMTC提供3D存儲技術基礎方面的教育,但這確實是一條陡峭的學習曲線。

  Mark Lepedus今年1月17日在Semiconductor Engineering的一篇文章中如此說道:

  但是3D NAND很難制造。據稱,YMTC正在開發自己的32層3D NAND器件,但是產量很低。目前還不清楚它是否仍在開發賽普拉斯/ Spansion的3D NAND技術。無論如何,中國將在3D NAND領域奮斗。“看看當前NAND廠商在3D NAND開發領域的競爭,它很可能需要比預期更長的時間(對于YRST制造3D NAND而言)。”Forward Insights的 Wong說。

  第二,即使假設它在2019年可以生產出32層產品,它也要面臨漫長的客戶認證過程,這可能需要六個月或更長時間。

  因此,讓我們做一個宏大的假設,并同意,中國的第一條生產線與競爭對手一樣出色,可以生產經過認證的芯片,并克服學習曲線,32層產品在2020年初達到80-90%的產量,此時的市場會是什么樣子?

  讓我們進一步假設,蝕刻和沉積技術已經克服了當前64層勢壘的間距障礙,字符串堆疊限制堆疊數量的問題得到了解決,這樣便移除了3D NAND的高性價比的所有障礙。鑒于這些假設,YMTC的競爭對手可能會達到或接近其第4、5代128L工藝的產量。作為成本替代的芯片密度將為9Gb / mm 2的量級,而YMTC的第1代 32L產品的芯片密度將略高于2.25Gb / mm 2。

  底線是,行業老牌廠商的芯片售價將低于YMTC產品的一半。但不僅僅是成本問題。由于芯片更小更密,老牌廠商將能夠將芯片封裝成更小的形式,仍然比YMTC的產品密度更高,這為OEM提供了更多的價值,使客戶能夠創造出更大、更低密度芯片所無法實現的創新終端產品。請思考中國的智能手機OEM廠商,例如小米。

  YMTC如何才能克服這些巨大的缺點,即使它可以設法生產出好產品,但這在2020年內能保證嗎?

  會引起存儲貿易戰嗎?

  那么中國呢?這一努力是否會演變成一場破壞性的貿易戰?在這樣做的同時,奪下當前中國市場的60%全球需求么?不,這不會發生,有兩個主要原因。

  首先,中國可以并將建立重要的國內技術廠商能力(以物聯網器件為中心),這將需要一流的存儲器。畢竟,這是不可替代的。但第二,最重要的是,因為存儲器供應商市場不是現在,并不限于非中國企業。它僅限于具有知識產權(IP)的公司。

  再次感覺到,存儲器的問題是IP。中國不會輕易得到NAND IP,但他們可以用其他類型的存儲器創造自己的未來。他們可以創建自己的IP。中國需要投資下一代存儲器研發,并專注于商業化。如果楊先生在中國NAND的血雨腥風之后仍然執掌YMTC,那么他應該能夠說服他的政府承認這個簡單的事實。

  讓我們結束吧。存儲器投資者需要考慮的原因是多方面的,有幾個不錯的理由值得關注。中國不是其中之一。最終,存儲器行業的寡頭們為了生存和繁榮會表現出足夠的偏執。Yang先生可能是一個大膽的飛行員,但他不會在存儲器領域生存很長時間成為一名老飛行員。


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