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mosfet的靜態特性和主要參數

2017-10-11

       Power MOSFET靜態特性主要指輸出特性和轉移特性,與靜態特性對應的主要參數有漏極擊穿電壓、漏極額定電壓、漏極額定電流和柵極開啟電壓等。

1、 靜態特性

(1) 輸出特性

  輸出特性即是漏極的伏安特性。特性曲線,如圖2(b)所示。由圖所見,輸出特性分為截止、飽和與非飽和3個區域。這里飽和、非飽和的概念與GTR不同。飽和是指漏極電流ID不隨漏源電壓UDS的增加而增加,也就是基本保持不變;非飽和是指地UCS一定時,ID隨UDS增加呈線性關系變化。

圖片2.png


(2) 轉移特性

  轉移特性表示漏極電流ID與柵源之間電壓UGS的轉移特性關系曲線,如圖2(a)所示。轉移特性可表示出器件的放大能力,并且是與GTR中的電流增益β相似。由于Power MOSFET是壓控器件,因此用跨導這一參數來表示。跨導定義為

       圖片3.png                   (1)

  圖中UT為開啟電壓,只有當UGS=UT時才會出現導電溝道,產生漏極電流ID。

2、  主要參數

(1)漏極擊穿電壓BUD

  BUD是不使器件擊穿的極限參數,它大于漏極電壓額定值。BUD隨結溫的升高而升高,這點正好與GTR和GTO相反。

(2)漏極額定電壓UD

  UD是器件的標稱額定值。

(3)漏極電流ID和IDM

  ID是漏極直流電流的額定參數;IDM是漏極脈沖電流幅值。

(4)柵極開啟電壓UT

  UT又稱閥值電壓,是開通Power MOSFET的柵-源電壓,它為轉移特性的特性曲線與橫軸的交點。施加的柵源電壓不能太大,否則將擊穿器件。

(5)跨導gm

  gm是表征Power MOSFET 柵極控制能力的參數。

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