《電子技術(shù)應(yīng)用》
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三星公司硬盤產(chǎn)業(yè)疲軟 試圖轉(zhuǎn)向QLC閃存生產(chǎn)

2017-10-12
關(guān)鍵詞: 三星 閃存 NAND 芯片

三星方面宣布其將推出4層單元閃存,即QLC NAND芯片。目前容量最高的閃存單元是具有每單元容納3 bits的TLC(三層單元)。然而由于QLC芯片所用材料較TLC而言,其讀寫速度更慢且使用壽命也更低,所以QLC芯片的制備難度也隨之增大。

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SSD可并行訪問多塊晶片以提升訪問速度,同時還能夠憑借冗余配置以延長其耐用性。

迄今為止,東芝公司與西部數(shù)據(jù)公司,東芝方面的代工合作伙伴已經(jīng)開始運行配有768 Gbit容量的QLC芯片產(chǎn)品生產(chǎn)線。而如果該合資企業(yè)沒有因為東芝方面出售其存儲器業(yè)務(wù)而引發(fā)關(guān)系決裂,那么該芯片預(yù)計將于明年推出。

一位三星員工在接受Business Korea采訪時表示:“盡管目前QLC NAND閃存尚未進入批量生產(chǎn)階段,但公司內(nèi)部已經(jīng)開始著手進行這方面的準(zhǔn)備工作了。”

此外,QLC NAND芯片將采用三星公司的V-NAND(3D NAND)技術(shù),并且其晶片容量將可達到1 Tb(128 GB)。據(jù)了解,該芯片將會采用三星公司的第五代V-NAND技術(shù),并且由于該技術(shù)的第四代為64層V-NAND,那么其第五代將可能達到96層。

在此之前,三星還曾談到一款容量為128 TB的2.5英寸QLC SSD。另外,SK海力士也在準(zhǔn)備推出QLC閃存芯片。

根據(jù)HIS Markit的統(tǒng)計報告顯示,QLC閃存芯片預(yù)計應(yīng)該于2018年第一季度推出,且其市場份額在2018年底之前將達到5.1%,2021年則可能達到30%。

如果QLC定價明顯低于TLC,那么其將開創(chuàng)適用于QLC的全新使用環(huán)境,具體包括高容量與快速訪問近線閃存,低訪問延遲歸檔或?qū)ο蟠鎯Φ取?/p>


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