拋開過去一年飛漲的價(jià)格不提，未來幾年巨大的銷量預(yù)期也讓它成為各大廠商眼中的香餑餑，這也是吸引國內(nèi)的長江存儲、合肥長鑫和福建晉華等企業(yè)大舉進(jìn)軍存儲器產(chǎn)業(yè)的原因之一。但是隨著產(chǎn)品和應(yīng)用的發(fā)展，傳統(tǒng)的電荷型存儲器性能已經(jīng)無法滿足需求：
一方面在于Flash與DRAM速度差距大，導(dǎo)致“存儲墻”和“功耗墻”等問題的產(chǎn)生；另一方面信息存儲與計(jì)算分離，成為大數(shù)據(jù)處理實(shí)時(shí)性的瓶頸。于是業(yè)界開始探索新型存儲器，阻變存儲器（RRAM）就成為廠商們的一個(gè)選擇。由于擁有速度快、可靠性高、非揮發(fā)、多值存儲和高密度的特性，這種存儲能給滿足現(xiàn)在新興的人工智能等新興應(yīng)用領(lǐng)域的需求。
雖然優(yōu)點(diǎn)不少，但我們同時(shí)也應(yīng)該看到，RRAM面臨著機(jī)理不清、漲落大、可靠性不足、工藝集成問題和模擬阻變特性優(yōu)化等問題。在RRAM可靠性與表征的研究中，也同時(shí)還存在諸多挑戰(zhàn)：如在RRAM器件，需要考慮瞬態(tài)測量、循環(huán)次數(shù)測試、微觀原位表征；而在RRAM陣列，則有自動(dòng)測試方法和讀取速度的困擾。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。