昨日,在位于武漢東湖高新區的長江存儲科技有限責任公司(國家存儲器基地),紫光集團聯席總裁刁石京透露,中國首批擁有自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現量產。
據悉,長江存儲于2017年成功研發中國首顆32層三維NAND閃存芯片,并獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。
這顆芯片,耗資10億美元,由1000人團隊歷時2年自主研發,是中國主流芯片中研發制造水平最接近世界一流的高端存儲芯片,實現了中國存儲芯片“零”的突破。
刁石京介紹,目前,芯片生產設備正在進行安裝調試,今年第四季度,32層三維閃存芯片將在一號芯片生產廠房進行量產。此外,64層三維閃存芯片研發也在緊鑼密鼓地進行,計劃2019年實現量產。
刁石京表示,中國芯片技術落后于世界,但自主研發的腳步始終沒有停止,兩代芯片實現量產后將縮短與美國、日本、韓國等國家在存儲芯片上的差距。
據悉,長江存儲由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北省科技投資集團共同投資建設,負責國家存儲器基地項目。
根據規劃,至2023年,基地產能將達到每月30萬片,并形成設計、測試、封裝、制造、應用等上下游集群。
長江存儲首次公布突破性3D NAND架構Xtacking
日前在美國舉辦的閃存峰會(Flash Memory Summit)上。長江存儲CEO楊士寧博士將發布表主題演講并揭曉突破性技術Xtacking。官方稱,Xtacking可以將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當的水準,同時使存儲密度達到行業領先水平,實現閃存行業的劃時代躍進。
據悉,Xtacking可用于消費級/企業級SSD還有UFS閃存,且實現了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開發和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時間,并使NAND閃存產品定制化成為可能。
那么DDR4的傳輸速度是什么級別?
以常見的DDR4-2400單通道為例,數據速率2400Mbps,理論峰值帶寬2400MHz x 64bit/8=18.75GB/s。
還不清楚紫光所謂速度級別的具體數字,僅從紙面分析,倒是很像Intel在做的傲騰存儲,最終目標是閃存、內存二合一。