DRAM大廠南亞科今昨日公布第3季財報，展望后市，南亞科總經理李培瑛不諱言，第4季DRAM需求相對前半年保守，預期單季平均銷售單價可能下滑5%左右，PC需求為目前唯一表現趨緩的應用，且由于第3季DRAM供應商增加投片量，南亞科已下修今年資本支出逾1成，明年仍得視國際局勢變化，預期價格將在合理范圍內緩跌。

展望第4 季，李培瑛表示，受到美中貿易戰與CPU 短缺影響，第4 季DRAM 需求相對前半年保守，目前現貨市場已走跌，預期第4 季平均銷售單價可能微幅下滑、約在5 % 上下，惟貿易戰規模與延續時程尚未確定，DRAM 市場長期走勢仍須密切觀察。

不過，李培瑛強調，南亞科致力使產品組合多元化，這是最關鍵的執行方針，將努力維持毛利率跟營益率，且若能將產品線最佳化，就有機會維持相對較高的平均售價。

從各應用別需求來看，李培瑛指出，目前手機與伺服器市場健康，手機部分，雙鏡頭已成主流，后續以多鏡頭為主，手機產品差異化主要倚賴記憶體規格升級，目前Android 旗艦機種主流記憶體容量為6GB-8GB，蘋果OLED 新機種則導入4GB。

伺服器部分，李培瑛表示，伺服器記憶體為所有市場區塊中，成長力道最大的，云端服務與各產業對伺服器需求持續發酵，中國伺服器需求年增23%，北美四大資料中心需求穩定成長，全球伺服器年增率約11%，平均記憶體容量持續增加，預期伺服器用記憶體總需求年增超過3 成。

南亞科8Gb DDR4 伺服器產品近期已獲美系資料中心大廠驗證通過，第4 季將推出LPDDR4/4X 產品線并小量出貨，李培瑛表示，南亞科今年又再度取得驗證，重回伺服器市場，盼能在伺服器市場持續推進。

消費型電子產品部分，李培瑛指出，電視與機上盒、智慧音箱與SSD 仍為重點市場區塊，新一代智慧手表提供心電圖功能，預期將帶動未來穿戴裝置的成長，應用持續增加中，表現也不差。

至于PC 則是唯一表現趨緩的，李培瑛表示，PC DRAM 有些供過于求的情況，除受到CPU 缺貨影響外，現貨市場也受到次級品流竄影響需求，預期短期內有跌價壓力。

供給方面，由于第3 季DRAM 供應商增加投片量，將逐步影響第4 季至明年第1 季的市場供給。李培瑛表示，第4 季起南亞科將延緩產能擴充與資本支出，南亞科已下修今年資本支出，由原先的近240 億元下調至210 億元，調幅逾1 成，減緩整體擴產幅度，投片則視產品組合。

展望明年，李培瑛認為，整個DRAM 發展對全球產品智慧化是相當關鍵的零組件，若以市場智慧化需求來看，對DRAM 需求并沒有看未太悲觀，主要仍得觀察國際局勢變化與季節性因素；而由于供應商新產能擴充較理性，預期明年不會有急遽或劇烈的價格波動問題，將在合理的范圍內出現價格緩跌情況，但會緩跌一季或兩季，目前仍看不出來。

李培瑛表示，明年DRAM需求仍不悲觀，供應商端也理性控制產出，不認為明年在報價上會有劇烈的波動，中美貿易戰之國際局勢將是影響市場的最大關鍵因素。

李培瑛分析，全球電子產品走向智慧化，記憶體是最關鍵的零組件，需求面沒有太悲觀。供給方面，DRAM供應商現在變得比較理性。預期明年雖有季節性變化，尚不會有急遽跌價的問題，明年DRAM價格預計出現合理的調整，估計會持續緩跌一季或者二季。

南亞科總經理李培瑛指出，受到美中貿易關數以及處理器缺短影響，第4季DRAM需求相對今年上半年保守，且貿易戰規模以及延續的時間有多長，需要密切觀察。

李培瑛說，明年市場關鍵在國際局勢，貿易戰是未知數，尤其在關稅部分，在中國大陸的組裝廠客戶會直接或間接受到影響，需采取一些因應對策，但要將組裝產線移到其他國家則需要一點時間。

IC Insights：DRAM 產能過剩警報響起，中國廠商帶來變數

在早前，IC insights也發出了同樣的警告。

IC Insights在本月初發布的《The McClean Report》9月更新指出，從歷史的角度來看，DRAM平均售價與市場成長將很快趨于下行，供應商應謹慎因應，并隨時準備調整資本支出擴張計劃。

IC Insights 最新《The McClean Report》9 月更新顯示，在過去兩年中，DRAM 制造商一直在以接近滿載狀態運行記憶體晶圓廠，這導致DRAM 價格穩步上升，并為供應商帶來可觀的利潤。

IC Insights指出DRAM產業去年資本支出跳增81%，今年持續攀升40%，在此狀況下，預料未來供給將淹沒市場，為價格趨緩的先期指標之一。

不過與以往不稍有不同的是，這次資本支出成長幅度雖然高，但預期產能過剩風險可能不像以往嚴重，因為目前各大廠升級20 納米制程的成本增加許多，意謂著同樣的資本投入所換得的產能將比前幾代制程少。

每月DRAM 平均售價增長趨勢。(圖：IC Insights)

上圖可見，雖然2018年8月DRAM的平均銷售價格(ASP)達到6.79 美元，相較于2年前增長165%。盡管今年價格增速放緩，但8月前仍保持穩健上行的趨勢。

DRAM 市場以周期性而聞名，在經歷了兩年的強勁增長之后，DRAM 平均售價和市場需求很快將開始向下趨勢。

IC Insights 分析，最近供應商資本支出增加雖然非比尋常，但可能不會像過去一樣產生類似的產能過剩情況。

DRAM 資本支出與平均售價比較圖。(圖：IC Insights)

該報告預測(上圖)，2018年DRAM平均售價將上漲38％至6.65 美元，但隨著額外產能上線，供應限制開始放緩，將會降溫DRAM市場成長。

該報告中特別提到，由于預期客戶需求疲軟，三星和SK 海力士于第3 季推遲部分擴張計劃。值得注意的是，中國大陸有合肥長鑫(Innotron Memory)、福建晉華（JHICC）等兩家記憶體廠預料今年加入供給，將為記憶體市場帶來不可知的變數。在合肥長鑫方面，兆易創新與合肥產投簽署合作協議，開展工藝制程19nm的12英寸DRAM的研發工作，該項目預算約為180億人民幣，已正式投片，有券商預計其將在2018年底實現產品良率不低于10%。來到福建晉華，他們與聯電開展技術合作，投資56.5億美元，正在建設12存DRAM生產線。晉華集成電路已納入中國“十三五”集成電路重大生產力布局規劃。