臺(tái)積電提交公告表示,6納米技術(shù)提供客戶更多具成本效益的優(yōu)勢(shì),并且延續(xù)7納米技術(shù)在功耗及效能上的領(lǐng)先地位。臺(tái)積電的6納米技術(shù)的邏輯密度比7納米技術(shù)增加18%。
新的6nm制程采用了EUV光刻技術(shù),據(jù)稱與第一代7nm制程相比,晶體管密度增加了18%,而設(shè)計(jì)規(guī)則與第一代7nm制程完全兼容,便于升級(jí)遷移和降低成本。
臺(tái)積電的6nm制程預(yù)計(jì)將于2020年第一季度試產(chǎn),適用于中高端移動(dòng)芯片、消費(fèi)應(yīng)用、人工智能、網(wǎng)絡(luò)、5G、高性能計(jì)算。
在過去幾年里,英特爾在新制程方面進(jìn)展緩慢,而其10nm制程在大規(guī)模生產(chǎn)方面也進(jìn)展緩慢,主要原因是該公司對(duì)技術(shù)指標(biāo)要求高,難以投入生產(chǎn)。
另一方面,臺(tái)積電和三星取得了很大進(jìn)展。除了技術(shù)上的突破,他們采取了更加靈活的策略,降低了新技術(shù)的難度,每次稍有改進(jìn)就會(huì)做出一個(gè)新的版本。
例如,臺(tái)積電的16nm制程是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn),而12nm則是在此基礎(chǔ)上進(jìn)行了升級(jí)和優(yōu)化。三星則更加復(fù)雜,除了14nm、10nm、7nm、5nm的升級(jí)版,還有一系列過渡版,如11nm、8nm、6nm、4nm。
近日,臺(tái)積電宣布,其5nm EUV制程已開始試制。與7nm相比,該公司的5nm EUV制程可使性能提高15%。與此同時(shí),三星的5nm EUV制程可使功耗降低20%,性能提高10%。