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南亞科10納米DRAM技術終于有了新突破

2020-01-13
來源:集微網
關鍵詞: 南亞科 DRAM

  據臺灣《聯合報》報道,南亞科總經理李培瑛于10日宣布,已完成自主研發10納米級DRAM技術,將在今年下半年試產。

  據悉,全球DRAM內存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中,他們的份額高達95%以上,關鍵原因就在于這三家的技術專利形成了極高的門檻,其他公司突圍起來很難。

  南亞科現在以20納米技術為主力,技術來源為美光。隨著南亞科10納米制程導入自主技術,意味未來不再仰賴美光授權,每一顆產品都是公司自行開發,擺脫數十年來技術長期依賴國際大廠的狀況,免除動輒上百億元的授權費用,包袱大減。

  李培瑛表示,南亞科已成功開發出10納米DRAM新型記憶體生產技術,使DRAM產品可持續微縮至少三個時代。第一代的10納米前導產品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5將建構在自主制程技術及產品技術平臺,2020下半年后將進入產品試產。

  第二代10納米制程技術已開始研發階段,預計2022年前導入試產,后續會開發第三代10納米制程技術。他強調,南亞科進入10納米制程之后,會以自行研發的技術為主,降低授權費用支出,能大幅提升效能。

  順應10納米制程發展,南亞科今年資本支出金額將高于去年的55億元。李培瑛說,除可改善成本,南亞科成功自主開發10納米制程技術,將有助掌握朝高密度新產品發展機會與技術進展。


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