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Vishay推出采用PowerPAK® 12128S封裝的-30 V P溝道MOSFET,RDS(ON)達到業內最低水平,提高功率密度,降低便攜式電子設備功耗

器件占位面積10.89 mm2,RDS(ON)降至3.5 m,FOM降至172 m*nC,均為業內最佳水平
2020-02-19
來源:Vishay

  賓夕法尼亞、MALVERN—2020年2月11日 —日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號:VSH)推出新型-30 V p溝道TrenchFET 第四代功率MOSFET---SiSS05DN,器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK  1212-8S封裝,10 V條件下導通電阻達到業內最低的3.5 mW。于此同時,導通電阻與柵極電荷乘積,即MOSFET在開關應用的重要優值系數(FOM)為172 mW*nC,達到同類產品最佳水平。節省空間的Vishay Siliconix SiSS05DN專門用來提高功率密度,占位面積比采用6mm x 5mm封裝的相似導通電阻器件減小65 %。

20200211_SiSS05DN.jpg

  日前發布的MOSFET導通電阻比上一代解決方案低26 %,比市場上排名第二的產品低35 %,而FOM比緊隨其后的競爭器件低15 %。這些業內最佳值降低了導通和開關損耗,從而節省能源并延長便攜式電子設備的電池使用壽命,同時最大限度降低整個電源路徑的壓降,以防誤觸發。器件緊湊的外形便于安裝在PCB面積有限的設計中。

  行業標準面積尺寸的SiSS05DN可直接替代升級5 V至20 V輸入電源應用中的現有器件。該MOSFET適用于適配器和負載開關、反向極性保護、電池供電設備電機驅動控制、電池充電器、消費類電子、計算機、電信設備等。

  器件經過100 % RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

  SiSS05DN現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為12周,視市場情況而定。


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