在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉換電路、自舉充電電路、柵極驅動器的緩沖電路及配置為半橋器件的輸出氮化鎵場效應晶體管,從而實現芯片級LGA封裝、細小的外形尺寸(3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米)。
當48 V轉到12 V的降壓轉換器在1 MHz的開關頻率下工作,EPC2152 ePower 功率級集成電路可實現高于96% 的峰值效率,相比采用多個分立器件的解決方案,這個集成電路在PCB的占板面積少33%。
EPC2152 是該系列的首個產品。該系列在未來會進一步推出采用芯片級封裝(CSP)及多芯片四方偏平模塊(QFM)的功率級IC。在未來一年內將推出可在高達3至5 MHz頻率范圍工作、每級功率級的電流可高達15 A至30 A的產品.
該產品系列使得設計師可以容易發揮氮化鎵技術的性能優勢。 集成多個器件在單晶片上,設計師可以更容易設計、布局、組裝、節省占板面積及提高效率。
宜普電源轉換公司首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow說,“分立式功率晶體管正在進入它的最后發展階段。硅基氮化鎵集成電路可以實現更高的性能、占板面積更小,省卻很多所需工程。” Alex 繼續說:“這個全新功率級集成電路系列是氮化鎵功率轉換領域的最新發展里程,從集成多個分立式器件,以至集成更復雜的解決方案都可以,從而實現硅基解決方案所不能實現的電路性能、使得功率系統工程師可以更容易設計出高效的功率系統。”
本站內容除特別聲明的原創文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。