日前,日本京都半導體公司研發出一種高速光電二極管KP-H KPDEH12L-CC1C,可用于支持數據中心內部和數據中心之間基于PAM4的400Gbps傳輸系統。
在研發過程中,研究人員將4條25Gbps的線路集束在一起,實現了以100Gbps為主的傳輸速度。然而,市場上對400Gps到800Gbps傳輸速度的需求正不斷增長。
隨著InGaAs光電二極管的引入,京都半導體將繼續支持5G或更高傳輸系統不斷增長的速度和容量需求。
KP-H KPDEH12L-CC1C的主要特點包括:
—高速。借助電磁仿真軟件,研究人員將載體上高頻電極的大小、寬度及長度都進行了優化,使其在與市售跨阻放大器并用時,能夠對應40GHz帶寬。
—易于安裝使用。 安裝KPDEH12L-CC1C的載體被特別優化設計過以實現高頻。光電二極管背面集成了一個聚光透鏡,使入射光能夠在光吸收區被采集,并使光纖與PD的對齊更加容易。
KP-H光電二極管目前已通過通信設備方面標準可靠性測試Telcordia GR-468-Core的驗證。
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