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莫大康:中國半導體業發展的重任由誰來領軍

2020-08-11
來源:半導體行業觀察
關鍵詞: 任正非 華為 光刻機

     近期任正非帶隊訪問南京、上海的幾所大學,加上業內傳聞華為招聘光刻機工程師,及挖角半導體設備廠的人材等引起業內議論。

  有人傳華為將借助上海在芯片制造領域的科技力量,自研自產芯片,實現芯片自主,打破美國的卡脖子式制裁。

  從邏輯上華為此舉是被逼出來的,也是可以理解與支持。

  縱觀國內半導體業的現狀,實際上的形勢是十分嚴峻。最壞的時刻可能還沒到來。在美國的無底線打壓下,如華為海思,它是國內最大的fabless,2019年銷售額約800億元,是中國唯一能進fabless全球前十的公司。但是到9月時,臺積電將斷供,導致它的大部分先進工藝制程芯片,已無地可以加工,連中芯國際,原本認為它至少可以幫海思少許忙,如今它也是只能望洋興嘆。加上中芯國際的EUV設備受阻,未來它的先進工藝制程可能在7納米止步。

  這么優秀的海思能在中國土地上崛起已是十分不易。如今在美515新的打壓策略下它的自研芯片之路可能受阻,顯然直接影響海思的先進性與實現差異化。

  全球化之路如何走下去

  魏少軍博士曾講過半導體業是最徹底全球化的產業,它的產業鏈長,技術要求高,必須走全球化共同協作的道路。

  國內傳的一個故事,西方有人言,“給中國整套圖紙,光刻機也未必能造出來”,實際上它的潛臺詞是在瓦圣納條約控制下,西方控制關鍵部件的出口,中國都欲自主國產化,那是不可能的。

  因此對于中國半導體業發展,雖然應該堅持走全球化道路,但是現實的殘酷,現時的美國釆用逆全球化的策略,不再講自由的公平競爭,而是用它的所謂“國家安全”來掩蓋一切。

  面對如此的嚴峻態勢,中國半導體業不能坐等全球化時代到來時再發展,那是肯定不可取的。所以最理性的策略是首先自強,只有增強自身的競爭力,才是最有意義。

  迅速自強之路

  中國半導體業的底子薄弱,要做的事太多,但是以下四個大類可能是最急需要集中優勢兵力去突破,它們分別是:

  1),先進邏輯工藝制程,14納米及以下

  2),DRAM及3D NAND量產

  3),EDA工具

  4),半導體設備及材料

  以上四類都是需要迅速攻克的項目,但是必須分開輕重緩急,其中先進邏輯工藝制程與DRAM,3D NAND是排在前列,它們需要量產及市場份額,是馬上需要解決的事,而后兩項,EDA工具及半導體設備與材料是更難啃的“骨頭”,需要從長計議,但又必須馬上啟動。它們可能需要更長的周期。

  中國半導體業發展無法跨越,以上四類是“攔路虎”,但又是“必修課”。希望能在全球化下實現突破,但是在目前階段中國半導體業必須首先介入,去探索,只有中國半導體業逐漸強大,全球化才會真正到來。

  迅速自強之路如何走下去,主要有如下兩個方面:

  有計劃性,充分體現社會主義體制下能夠集中優勢兵力打殲滅戰;

  選擇領軍企業。

  這樣特定的時期中國半導體業發展承擔的責任是偉大的,是史無前例。因此必須慎之又慎。既要充滿必勝的信心,又要踏實與謹慎。因此選擇領軍企業十分重要。

  華為是其中之一,眾望所歸,它的創新能力強,有宏偉目標,堅持實事求是,滿足客戶需求,是個韭常優秀的企業,由于產業鏈長,任務太繁重。可能需要選擇多家企業來共同承擔。

  建國產設備主導的芯片生產線

  業內討論過此動議,結果不詳,在此再次建議馬上啟動興建國產設備為主導的芯片生產線,8英寸與12英寸各一。

  在此提出兩條理由:1),極端時刻到來,作為應急措施;2),半導體設備與材料的測試與試錯基地,唯有通過在生產線的量產考驗,才能真正推動半導體設備與材料的國產化進程。

  為什么要分別建兩條,相對而言8英寸的半導體設備生產線的基礎尚好,設備的國產化支持程度高,而12英寸設備的難度很大,盡管從現在觀察可能性不是很大,但它是個方向,必須先易后難逐步積累經驗。

  在半導體設備方面特別推崇青島芯恩張汝京的二手設備翻新方法,它從國外聘請高手,并培養國內年輕的設備維修人材,這樣未來設備的維護完全掌握在國人手中,是個能創造半導體設備自主開發的有效方法之一。

  半導體設備與材料的國產化進程至少需要十年以上的努力才能見效,因此興建國產設備為主導的芯片生產線是一個良好的契機,要充分予以重視并支持它。

 

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