在臺積電第26屆技術研討會上,臺積電不僅確認5nm、6nm已在量產中,且5nm還將在明年推出N5P增強版外,更先進的3nm、4nm也一并公布。
3nm是5nm的自然迭代,4nm理論上說是5nm的終極改良。
技術指標方面,3nm(N3)將在明年晚些時候風險試產,2022年投入大規模量產。相較于5nm,3nm將可以帶來25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升。
4nm(N4)同樣定于明年晚些時候風險試產,2022年量產。對于臺積電N5客戶來說,將能非常平滑地過渡到N4,也就是流片成本大大降低、進度大大加快。
當然,臺積電不是唯一一家3nm廠商,三星的雄心更大,明年就想把3nm推向市場。而且在核心技術方面,三星的3nm將改用Gate-All-Around(GAA,環繞柵極晶體管),臺積電則是堅守FinFET(鰭式場效應晶體管)。
三星比較雞賊,3nm對比的是7nm,號稱可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。
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