近日，據(jù)天眼查顯示華為技術有限公司公開“半導體器件及相關模塊、電路、制備方法”專利，公開號CN113054010A，申請日期為2021年2月。
專利摘要顯示，本發(fā)明實施例公開了一種半導體器件及相關模塊、電路、制備方法，該器件包括：N型漂移層、P型基極層、N型發(fā)射極層、柵極、場截止層和P型集電極層等，其中，場截止層包括依次層疊于N型漂移層的表面的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)的雜質(zhì)的粒子半徑小于第二摻雜區(qū)的雜質(zhì)的粒子半徑，第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的摻雜濃度均高于N型漂移層的摻雜濃度。上述半導體器件，可以有效降低IGBT的集電極與發(fā)射極之間的漏電流。
據(jù)悉，IGBT技術多用于功率半導體，對于華為而言，在其汽車研發(fā)和光伏逆變器等產(chǎn)品上要用IGBT技術。有業(yè)內(nèi)人士認為，在功率器件中，進行多次外延，在襯底的基礎上增加不同摻雜元素和不同厚度的外延層，用于改善極間漏電流。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。