EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （eGaN?FET），器件型號(hào)為EPC2067，專(zhuān)為設(shè)計(jì)人員而設(shè)。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推的EPC2067（典型值為 1.3 mΩ、40 V）擴(kuò)大了可選的低壓器件，可立即供貨。
EPC2067非常適合需要高功率密度的應(yīng)用，包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。較低的柵極電荷和零反向恢復(fù)損耗可實(shí)現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在9.3 mm2 的微小占位面積內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高功率密度。
EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow 表示：“EPC2067器件專(zhuān)為從40 V-60 V轉(zhuǎn)至12 V的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器的次級(jí)側(cè)而設(shè)計(jì)。與上一代40 V的GaN FET相比，這款40 V器件具有更高的性能和成本效益，從而讓設(shè)計(jì)師可以在更低的成本下，實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度”。
開(kāi)發(fā)板
EPC90138開(kāi)發(fā)板的最大器件電壓為40 V、最大輸出電流為40 A，配備板載柵極驅(qū)動(dòng)器的半橋器件，采用了EPC2067 eGaN FET。這款 2“x 2”（50.8 mm x 50.8 mm） 的電路板專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)最佳開(kāi)關(guān)性能而設(shè)計(jì)，并包含所有關(guān)鍵元件，讓工程師易于評(píng)估EPC2067器件。
一個(gè)1,000顆的卷盤(pán)的EPC2067的單價(jià)為2.69美元。
