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江豐電子:擬4億元投建超大規模集成電路用高純金屬濺射靶材(擴建)項目

2021-11-02
來源:全球半導體觀察整理

11月1日江豐電子晚間公告,公司擬與海寧市尖山新區管理委員會簽署投資協議書,建設浙江海寧基地超大規模集成電路用高純金屬濺射靶材(擴建)項目,計劃投資總額為4億元,投資進度及投資金額將依照實際情況進行調整。

江豐電子表示,公司本次擬投建的項目主要生產銅及銅合金靶材。項目的實施將進一步提高公司銅靶材產品的規模化生產能力,提升公司產品的市占率,實現公司業務的穩健發展。

江豐電子成立于2005年,自成立以來一直從事高純濺射靶材的研發、生產和銷售業務,主要產品為各種高純濺射靶材,超高純金屬及濺射靶材是生產超大規模集成電路的關鍵材料之一。目前,公司的超高純金屬濺射靶材產品在7納米技術節點實現批量供貨,應用于5納米技術節點的部分產品評價通過并量產,部分產品進入驗證階段。

目前,由于國內半導體產業對國產化需求緊迫,對國產替代的進度也大大加快,公司受益于近年來裝備和產線的不斷加強和擴充,產品的加工制造能力得到了進一步提升,新增產品加速放量。

值得一提的是,今年8月,江豐電子完成了可轉債發行,公司募集資金逾5億元,將用于惠州、武漢基地平板顯示用高純金屬靶材及部件建設項目,并補充流動資金。




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