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Fujitsu推出新款8Mbit FRAM存儲器,支持高達100萬億次寫入次數

2021-11-24
來源:電子創新網
關鍵詞: Fujitsu 8MbitFRAM SRAM

  Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出帶并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存儲器,這也是Fujitsu首款支持100萬億次讀/寫周期的FRAM系列產品。評估樣本目前已發布。

  網址:https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/device/parallel-8m-mb85r8m2ta.html

  圖1—MB85R8M2TA封裝:

  

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  FRAM是一款非易失性存儲產品,具有高讀寫耐久性、高速寫入、低功耗等優點,已批量生產20多年。

  網址:https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/fram/features/

  MB85R8M2TA存儲器配有與SRAM兼容的并行接口,可在1.8V-3.6V的電源電壓范圍內工作。新款FRAM在快頁模式下可實現25ns的訪問時間,因此在持續數據傳輸時的訪問速度可與SRAM相媲美。與Fujitsu的傳統產品相比,該存儲器實現了高速運行(訪問速度提高約30%)和低功耗(工作電流減少10%)。這款存儲器IC是SRAM的理想替代產品,可用于需要高速運行的工業機器。

  圖2—FRAM用例:

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  圖3—電流比較:

  

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  從上述特點來看,新款8Mbit FRAM可在某些情況下省去SRAM所必需的數據備份電池,為客戶帶來好處。

  圖4—用非易失性存儲器替換SRAM時會遇到的問題及解決方案:

  

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  Fujitsu Semiconductor Memory Solution致力于開發高性能產品,為可持續發展的社會做出貢獻。例如,該公司在不斷開發低功耗FRAM產品。通過降低產品功耗,該公司旨在減少二氧化碳和溫室氣體排放。

  Fujitsu將繼續滿足市場和客戶的需求和要求,同時開發環保型存儲產品。

  Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited簡介

  Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited專注于高品質、高可靠性的非易失性存儲器,如鐵電隨機存儲器(FRAM)和電阻式隨機存取存儲器 (ReRAM)。公司總部位于橫濱,于2020年3月31日作為富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)的子公司成立。公司通過其全球銷售與開發網絡,以及遍布日本及亞洲、歐洲和美洲的辦事處,為全球市場提供半導體存儲器解決方案。





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