本文來自方正證券研究所2022年2月07日發布的報告《東芯股份:NAND、NOR、DRAM多品類布局引領國產閃存制程突破》,欲了解具體內容,請閱讀報告原文,陳杭S1220519110008
9000頁·研究框架·系列鏈接
CPU l 面板 l RF l CMOS l FPGA l 光刻機 l EDA
封測 l OLED l LCD l 設備 l 材料 l IP l 功率 l SiCGaN l 第三代 l 汽車半導體 l 濾波器 l 模擬 l 射頻 基帶 l 大硅片 l PA l MOSFET l 光刻膠 l RISC-VIGBT l NOR l Mini-LED l 代工 l 偏光片 l ODM華為 l 特斯拉 l 小米 l 刻蝕機 l MLCC l 電源管理 高通 l 被動元器件 l CREE l 三星 l MCU l 臺積電DRAM l AIoT l MLCC l 儲能 l 鈉離子 l 電子氣體激光雷達 l SoC l 京東方 l 三安光電 l 北方華創
聚焦中小容量通用型存儲芯片,國內少數可以同時提供NAND、NOR、DRAM完整解決方案的公司。東芯股份打造以低功耗、高可靠性為特點的多品類存儲芯片產品,公司設計研發的24nmNAND、48nm NOR均為我國領先的閃存芯片工藝制程,已達到可量產水平,實現了國內閃存芯片的技術突破。
NAND Flash:核心技術優勢明顯,產品可靠性標準向車規級邁進。公司聚焦平面型SLC NAND Flash的設計與研發,主要產品采用浮柵型工藝結構,存儲容量覆蓋1Gb至8Gb,可靈活選擇SPI或PPI類型接口,搭配3.3V/1.8V兩種電壓。公司的SLC NAND Flash產品被廣泛應用于如5G通訊模塊和集成度要求較高的終端系統運行模塊。公司NAND Flash產品核心技術優勢明顯,尤其是SPI NAND Flash,公司采用了業內領先的單顆集成技術,有效節約了芯片面積,降低了產品成本,提高了公司產品的市場競爭力。公司產品不僅在工業溫控標準下單顆芯片擦寫次數已經超過10萬次,同時可在-40℃到105℃的極端環境下保持數據有效性長達10年,產品可靠性逐步從工業級標準向車規級標準邁進。
NOR Flash:下游新興應用領域需求持續擴大,公司適時推出針對性產品推動銷量增長。公司自主設計的 SPI NOR Flash 存儲容量覆蓋2Mb至256Mb,并支持多種數據傳輸模式,公司的產品主要被用于存儲代碼程序,產品制程已達到國內領先的48nm。公司NOR系列產品的銷量由2018年度的4688.05萬顆增長至2020年度的9438.63萬顆,增長主要源于國產替代形勢下,下游新興應用領域尤其是可穿戴設備的需求持續擴大,公司適時推出針對性的產品,應用于傳音控股、麥博韋爾等優質終端客戶。
DRAM:產品轉向通用型、標準化,逐步實現下游應用領域向工業級的延伸拓展。公司DRAM產品經有多年技術沉淀,具有類型豐富、應用領域較寬的特點。公司研發的DDR3系列是可以傳輸雙倍數據流的DRAM產品,具有高帶寬、低延時等特點,在通訊設備、移動終端等領域應用廣泛;公司針對移動互聯網和物聯網的低功耗需求,自主研發的LPDDR系列產品具有低功耗、高傳輸速度等特點,適合在智能終端、可穿戴設備等產品中使用。公司結合市場需求變化,正逐步實現產品客制化向通用型、標準化方向的轉變及下游應用領域由消費級向工業級的延伸擴展。
存儲芯片產品價格存在周期性波動,公司經營業績依賴下游市場供需情況。存儲芯片作為半導體產業的“風向標”,其在單價及數量上均呈現較強的周期性變化。周期性的主要原因為存儲芯片的產品通用性及市場集中度較高,為了維持存儲產品的市場份額,各廠商都會選擇在行業景氣度上行周期擴產增收、在景氣度下行周期降價清理庫存,進而導致產能與下游市場需求不匹配的情況,從而導致價格波動,影響公司經營業績。
規模效應逐步顯現,產品結構優化,高附加值產品占比提升,公司盈利能力巨幅增長。公司預計2021年全年歸母凈利潤區間2..45億元-2.75億元,同比增長1154%-1308%;扣非歸母凈利潤區間2.37億元-2.67億元,同比增長1250%-1421%,盈利能力增幅巨大。盈利能力的巨幅增長主要受益于:公司產品市場需求旺盛,隨著公司產品線的不斷豐富,產品結構持續優化,高附加值產品占比提升,對完成導入期的客戶銷售規模逐步擴大、規模效應逐步顯現,使得公司閃存芯片銷售規模持續擴大,公司經營業績同比上升,從而銷售毛利率較上年同期提升。
盈利預測:我們預計公司2021-2023年營收12.0/16.0/21.0億元,歸母凈利潤2.5/3.2/4.0億元,首次覆蓋,給予“推薦”評級。
風險提示:1)產品價格波動風險;2)產品技術研發風險;3)下游行業景氣度不及預期風險。