Transphorm用于低功耗應用的高可靠性器件能簡化電源系統的開發，減少元件數量；是18億美元規模的適配器市場的成熟解決方案。

加州戈利塔 －－ （新聞稿）－－高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm， Inc． （Nasdaq： TGAN）宣布，全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏（Phihong）新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管（FET）平臺，具有以下優點：系統設計簡單，元件數量少，性能更高，可靠性一流。

飛宏的65W適配器外形小巧（51 x 55．3 x 29 mm），配備兩個USB－C端口和一個USB－A端口（2C1A），可同時為三臺設備充電。這款充電器采用了單個650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，與采用準諧振反激模式（QRF）拓撲結構的硅解決方案相比，功率損失可減少約17％。該適配器還提供高達65W的USB PD和PPS功能。

TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過JEDEC認證的PQFN88表面貼裝器件，具有±18V柵極安全裕度。FET是建立在QRF、有源鉗位反激模式（ACF）或LLC諧振拓撲結構上的150W或以下低功率應用的理想選擇。

Transphorm的TP65H300G4LSG具有與硅類似的閾值水平和高柵極擊穿電壓（最大±18 V）。它可以與現成的控制器（包括帶有集成驅動器的控制器）配合使用，無需負偏置電壓。這些功能可簡化電源系統的設計；消除對額外外圍電路的需求，從而減少元件數量；同時還能增加整個系統的可靠性——這些都是飛宏決定采用Transphorm FET的關鍵原因。

飛宏生產制造各種備受電子設備公司信賴的可靠電源解決方案。公司對氮化鎵功率密度優勢的理解讓其決定打造新的氮化鎵適配器。Transphorm的氮化鎵FET具有簡單可設計性和可驅動性，并且具有高柵極魯棒性，因此飛宏很快決定選擇Transphorm作為其氮化鎵器件合作伙伴。

根據Facts and Factors近期發布的一份報告，預計到2026年全球交流轉直流適配器市場規模將達到18．54億美元，年復合增長率為12．7％。Transphorm最近也在5月份的報告中稱，其240毫歐器件的發展勢頭正在不斷加強，公司獲得了亞洲大型手機（65W）項目和領先的WW電子零售商（140W）項目的ODM預生產訂單。此外，該公司的市場份額增長還得益于成功贏得一家《財富》100強頭部企業的另一項筆記本適配器設計項目，其中包括5萬個SuperGaN? 240毫歐FET的初始采購訂單。這些FET可以為65W快充適配器應用提供更高的效率，而競爭對手的e－mode氮化鎵FET則需要更大的150毫歐器件來滿足類似應用的需求。因此，這些Transphorm SuperGaN? FET使客戶能夠利用更小的器件實現更強的性能。

Transphorm亞太區銷售副總裁Kenny Yim表示：“我們的SuperGaN平臺從一開始就圍繞四大關鍵原則打造：可靠性、可設計性、可驅動性和可重復性。我們的240毫歐器件也不例外。我們讓適配器制造商能夠設計出體積小、重量輕、發熱少的產品，并提供前沿的先進USB充電功能。這些創新正在推動全球適配器市場對氮化鎵的采用，使我們有能力通過大批量生產能力支持高性能的解決方案，從而鞏固我們的市場地位。”

TP65H300G4LSG目前可通過得捷電子和貿澤電子獲取。

關于飛宏

飛宏是開發世界級電源解決方案和電動汽車充電產品的全球領導者，擁有50多年的成熟經驗，年收入超過6億美元。公司持續為電動汽車充電領域以及醫療、數據通信、電信、個人電子設備和網絡市場的OEM廠商提供領先的解決方案。飛宏擁有超過6，500名員工，在加州、紐約、荷蘭、中國大陸、日本、越南和中國臺灣設有設計實驗室、生產設施和銷售支持中心。

關于Transphorm

Transphorm， Inc．是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1，000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC－Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業務模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99％、將功率密度提高40％以及將系統成本降低20％。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。