DDR5是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。目前還沒有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺，AMD預(yù)計會在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費級的估計還要再等等。

8 月 20 日消息，作為電腦必不可少的硬件，內(nèi)存的容量從來都是越大越好。近日，三星跟 AMD 的內(nèi)存專家舉辦了溝通會，探討了三星在 DDR5 內(nèi)存方面的發(fā)展，其中就談到了 DDR5 內(nèi)存容量的問題。

跟此前的 DDR4 相比，DDR5 內(nèi)存將電壓降低到了 1.1V，頻率可達(dá)到 7200MHz 以上，bank 數(shù)量翻倍到 32 個，預(yù)取位數(shù)也翻倍到 16n。三星計劃在 2023 年將內(nèi)存核心容量提高到 32Gb，堆棧層數(shù)提高到 8H。在 2024 年，三星計劃推出 1TB 單條 DDR5 內(nèi)存，該內(nèi)存將使用 32 個 8-Hi 32GB 堆棧，適配 2024 年-2025 年發(fā)布的服務(wù)器平臺。

除了容量提升，三星還計劃進(jìn)一步提升 DDR5 內(nèi)存的速度。三星 PPT 顯示其將在 2025 年發(fā)布 DDR5-7200，預(yù)計其傳輸速率將達(dá)到 10，000+MT / s。

了解到，此前有消息稱，三星正在開發(fā) DDR6 內(nèi)存，該內(nèi)存將采用 MSAP 封裝技術(shù)，預(yù)計能夠?qū)崿F(xiàn)大約 12800Mbps 的傳輸速率。對于 DDR6 內(nèi)存，單條達(dá)到 1TB 應(yīng)該較為輕松。不過現(xiàn)在看來 ，三星可能在 DDR5 時代就實現(xiàn)單條 1TB 的設(shè)計。

雖然單條 1TB 對于消費者來說成本太高，但對于服務(wù)器平臺來說容量更為重要。目前，Zen4 架構(gòu)的 EPYC 7004 系列可以做到 96 大核或者 128 小核，這意味著其對內(nèi)存的需求越來越高。

為了支持英特爾和AMD下一代平臺，三星準(zhǔn)備推出一系列全新的DDR5內(nèi)存模塊，比如基于16Gb和24Gb的DDR5芯片的業(yè)界首款512GB RDIMM/LRDIMM。在近期三星和AMD的內(nèi)存研討會上，雙方探討了DDR5內(nèi)存技術(shù)上的新方向，同時三星透露了其DDR5的開發(fā)計劃。

據(jù)TomsHardware報道，三星計劃在2023年初，推出32Gb的DDR5芯片，使其能夠在2023年末或2024年初制造1TB的內(nèi)存模塊。32Gb DDR5芯片用于客戶端PC的首款產(chǎn)品是單條32GB內(nèi)存，大概在2023年末就能看到。三星DRAM規(guī)劃部門的工程師Aaron Choi表示，32Gb DDR5芯片目前正在一個新的制程節(jié)點(低于14nm)上進(jìn)行開發(fā)。

三星表示，一旦使用32Gb DDR5芯片的內(nèi)存在產(chǎn)量上與16Gb DDR5相當(dāng)，那么單面32GB的內(nèi)存價格將變得非常合理，即便用戶想為系統(tǒng)配備128GB內(nèi)存也不用花太多的錢。雖然內(nèi)存容量很重要，但對于那些發(fā)燒友來說，內(nèi)存的頻率也很重要，為此三星積極地提高DDR5內(nèi)存的頻率。

隨著英特爾和AMD下一代平臺的發(fā)布，DDR5內(nèi)存頻率將提高到5200MHz到5600MHz的區(qū)間。部分內(nèi)存廠商會制造6800MHz到7000MHz的高頻DDR5內(nèi)存，不過這需要提高電壓來實現(xiàn)。三星計劃到2025年，在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.1V電壓下，將DDR5的頻率提高到7200MHz或以上，不過沒有透露具體的產(chǎn)品什么時候出來，這意味著市面上可能會有10000MHz或以上頻率的DDR5內(nèi)存出售。

時隔將近一年，無論是12代酷睿處理器還是600系列主板，其產(chǎn)品線已經(jīng)愈發(fā)完整，價格也趨于穩(wěn)定，新一代硬件組合憑借強(qiáng)大的性能和出色的性價比，已逐漸成為市場主流，而DDR5內(nèi)存由于還處在開發(fā)上升階段，再加上用戶的需求以及成本等因素，短時期難以取締DDR4內(nèi)存的主流地位。

用戶升級DDR5平臺最大的困擾，莫過于要連帶主板和CPU一起進(jìn)行更新，且D5和D4版本的600系列主板在內(nèi)存方面互不兼容，但如果是想嘗鮮新一代電腦主機(jī)或攢新機(jī)的用戶，DDR5+12代酷睿平臺無疑更具吸引力，且依舊可以追求性價比，影馳DDR5金屬大師系列內(nèi)存便是不錯的選擇。

對于想嘗鮮新一代入門級電腦主機(jī)的玩家，i3十二代酷睿CPU搭配H610系列主板便能釋放入門級DDR5內(nèi)存的性能，滿足大部分游戲、日常使用需求，普通板U套裝目前市場價在1-1.5k，影馳金屬大師DDR5-4800內(nèi)存現(xiàn)天貓旗艦店單根16G活動價為549元，金屬大師DDR5-5200內(nèi)存單根16G當(dāng)前活動價為599元。

金屬大師DDR5內(nèi)存采用了簡約金屬線條設(shè)計，全金屬外殼散熱器，輔以導(dǎo)熱硅膠強(qiáng)勁散熱;外形上銀灰底色與銀白色批花工藝相互輝映，帶來十足的金屬質(zhì)感，配合高品質(zhì)鋁合金沖壓工藝打造凹凸臺階面，能反射機(jī)箱內(nèi)部其他發(fā)光部件燈光，營造“無燈勝有燈”的氛圍。

影馳DDR5金屬大師系列內(nèi)存單根容量為16G，組成雙通道容量為32GB，配合4800/5200MHz高頻帶來疾速使用體驗，足以應(yīng)對日常游戲、工作需求。其精選原廠優(yōu)質(zhì)DRAM顆粒以及采用8層黑色定制PCB，追求穩(wěn)定耐用，可手動進(jìn)行超頻，堪稱新一代DDR5內(nèi)存入門優(yōu)選。

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