隨著技術的發展,芯片的地位也越來越重要,甚至被稱為科技產業的“糧食”。也正是如此重要的芯片成為了某些西方國家手中的武器,試圖利用斷供的手段來掐斷“糧食”供應,從而阻礙和遲緩國內科技產業的發展。
不可否認這種“斷供”的手段確實在早期起到了作用,例如華為的市場份額就從2020年度的全球第一下滑到如今十名開外,也讓華為的消費電子業務遭受到重創,營收也從2020年的8914億下降到2021年的6368億,這個教訓可謂十分慘痛。
但是任何決策都并非沒有代價,對于“斷供”這種舉措來說更是一柄雙刃劍。中國是全球最大的芯片需求國,2021年芯片進口量高達6355億個,進口金額也達到了創紀錄的2.8萬億人民幣。芯片已經遠超包括石油在內的其他資源,成為單一進口額最大的產品。
過度依賴進口也讓芯片在使用中存在不小的風險,特別是用在部分核心設備以及機構中的芯片更是成為了安全隱患。那么為何進口芯片有諸多弊端之下,國產芯片的發展卻依舊緩慢呢?
一個很重要的原因就是外企利用先發優勢已經完成了特定芯片的量產,從而使得成本控制處于領先位置。國產企業如果想要實現研發突破必須從零開始,不但前期需要大量的資金投入,在實現生產之后由于量產不足依然難以匹敵。
國內半導體產業,因為發展快,進度喜人,所以被老美盯上,利用流氓協定對國內部分頭部企業進行封鎖和打壓。比如說中芯國際此前購買了一臺EUV光刻機,結果卻不能出貨,再比如說華為麒麟無法被代工,5G芯片也被斷供。
雖然壞消息不斷傳來,但與之相對的好消息也不少。在新賽道RISC-V架構領域,我們已經獲得了主動權,阿里發布了無劍600平臺,一個好的生態正在形成;在光量子芯片領域,我們是佼佼者,就連美都眼紅,想要我們分享這項技術。
除此之外,國內半導體還有很多其他的重要突破,涵蓋了光刻機,封測,制造,設計等產業重要階段。而今天我們要說的就是國產芯的驕傲——長江存儲。
根據外媒透露的消息,蘋果在近幾個月一直在對長江存儲生產的芯片進行評估,未來將有可能在iPhone 上搭載。
眾所周知,蘋果智能手機,走高端路線,所采用的元器件都是供應鏈頂尖的產品。尤其是iPhone 14,今年用上了最新的臺積電4nm工藝,是當之無愧的性能怪獸。
同理,長江存儲的芯片能夠被庫克看上,足以證明其產品出類拔萃,達到了世界先進水平。當然了,蘋果雖然看上了長江存儲芯片,但最終是否真的使用,還是個未知數。最起碼當下,已經有人站出來給庫克“上眼藥”了。
6年時間完成9年的技術升級
當然,很多人會好奇:長江存儲到底是何方神圣,其水平又如何?別著急,往下看。
長江存儲所涉及的領域——存儲芯片,是電子終端產品必需的芯片之一,也是國內嚴重依賴進口的芯片種類。據悉,存儲芯片占到每年半導體進口的1/3,花費約1500億美元。再具體一些,長江儲存所專注的NAND閃存,是存儲芯片的重要部分。
但和大多數國內企業一樣,長江存儲剛建立的時候,并沒有多少先進設備和技術,和世界龍頭企業的技術相比,有3年左右的差距。但是長江存儲經過不懈努力,在6年的時間里,完成了頭部企業9年的技術升級。
今年的閃存峰會上,長江儲存發布了基于晶棧(Xtacking)3.0技術的第四代3D TLC閃存X3-9070。據悉,這一產品的堆疊次數達到232層,可比肩三星,美光。這意味著長江存儲首次在技術上達到了世界先進水平。
8月9日,美國總統拜登正式簽署《2022芯片與科技法案》。經過數年的博弈,這一將對全球芯片制造產業鏈產生深遠影響的法案靴子落地。盡管從表面上看,法案實施的核心目的是為了增強美國本土半導體產業的競爭力,推動芯片制造產能“回流”,但其更深層的目的,是要限制和削弱中國先進半導體產業的發展,逼迫全球芯片企業在中美之間“二選一”。
根據法案條款,未來美國將為本土發展芯片制造及研發的企業提供527億美元的緊急補充撥款,以及一項大約價值240億美元的稅收抵免,預計將惠及英特爾、美光、臺積電、三星等相關企業。然而,一旦接受聯邦激勵基金,就不能在中國大陸等特定國家或地區建設某些先進半導體的工廠或擴大產能,以十年為期。
據業內人士分析,該舉措必將重塑全球芯片產業格局;而對中國來說,受法案補貼政策的吸引,原先考慮在中國投資的國際企業,很可能也會轉而在美國市場發力,這對于中國半導業產業的產能建設、價值提升、人才招募以及我國在全球半導體產業的話語權都十分不利。
目前,臺積電在南京建有28納米、16納米制程的芯片制造廠,三星在西安擁有存儲芯片的制造工廠,SK海力士的近一半產能也在中國。而就在近期,SK海力士已經決定投資220億美元在美國建廠。
更糟糕的是,法案的出臺可能會推動CHIP4聯盟的組建,加速日本、韓國和中國臺灣等形成一個相對封閉的“造芯”小圈子,從而進一步影響中國大陸的半導體產業發展。
對此,多名半導體資深人士公開表示,破局的唯一方法只有“加速國產化”。資料顯示,目前制造14納米以下先進制程工藝芯片的設備,我國除在刻蝕機、清洗設備上能實現一定程度的國產替代外,在薄膜設備、離子注入、光刻機、爐管等領域幾乎是一片空白,一旦被“卡脖子”,就會嚴重拖緩AI、超算、通用芯片等需要使用先進工藝的芯片的生產進程。
為此,我國可考慮重點加強28納米及以下先進工藝的布局,盡快補足集成技術等領域的“洞”,推動原材料、元器件等國產設備供應商的發展;與此同時,也不要放棄對28納米以上“成熟工藝”的投資。數據顯示,到2025年,成熟工藝的市場份額仍在50%以上,這對于本土企業意味著廣闊的機會。“將28納米作為100%國產芯片的起點,再聚焦14納米、12納米、10納米……我們可以采用退回策略,用時間換取半導體產業鏈自主化的空間。”有專家指出。
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