日前ASML表示自己是歐洲企業(yè)而不是美國企業(yè)，它將積極尋求DUV光刻機的自由出貨，甚至還計劃在EUV光刻機技術(shù)上擺脫美國的羈絆，希望加強與中國芯片合作，為何ASML的態(tài)度突然發(fā)生重大變化？

一、中國芯片彎道超車

給ASML帶來震撼的無疑是中國籌建光子芯片生產(chǎn)線，這意味著中國推進光子芯片技術(shù)已取得重大突破，這將可能徹底改變當(dāng)下的芯片技術(shù)，對ASML等海外芯片設(shè)備企業(yè)造成重大打擊。

光子芯片生產(chǎn)線的籌建，代表著中國研發(fā)新的芯片技術(shù)替代當(dāng)下的硅基芯片邁出了堅實的一步，按照這樣的發(fā)展進度，中國或許將率先商用光子芯片，從而實現(xiàn)彎道超車，在芯片技術(shù)方面取得領(lǐng)先地位。

當(dāng)然考慮到光子芯片進入邏輯計算還需要一段時間，中國也仍然繼續(xù)研發(fā)硅基芯片，在硅基芯片方面雖然受制于海外芯片設(shè)備，但是中國通過完善自己的芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈，純國產(chǎn)化的14nm工藝即將變成現(xiàn)實，也正是由于中國在14nm光刻機方面的突破，美國并未限制14nm及以上光科技對中國銷售。

除了繼續(xù)研發(fā)先進工藝之外，中國還在研發(fā)特色工藝，中芯國際研發(fā)的55納米BCD工藝就超越了該項工藝的開創(chuàng)者意法半導(dǎo)體，意法半導(dǎo)體如今的先進BCD工藝才是90納米，特色工藝的彎道超車讓海外芯片行業(yè)認識到了中國芯片的潛力。

二、ASML面臨的壓力

業(yè)界都清楚當(dāng)下的硅基芯片已逐漸接近極限，即使是當(dāng)下已量產(chǎn)的3nm工藝以及正在研發(fā)的2nm工藝可以繼續(xù)提升硅基芯片的性能，成本也變得難以承受，臺積電的3nm就因為成本過高以及性能不達標(biāo)而沒有客戶愿意采用，被迫進一步改良至N3E工藝，祈求N3E工藝能獲得客戶的認可。

相比3nm工藝，2nm工藝將需要第二代EUV光刻機，第二代EUV光刻機的成本將是第一代EUV光刻機的三倍以上，研發(fā)難度也更高，如此一來2nm工藝的超高成本能否獲得芯片企業(yè)的認可將是問題。

如此芯片制造企業(yè)臺積電等對于采購先進光刻機的態(tài)度已不那么堅決，畢竟成本那么高，如果沒有客戶的話大量投資將可能打水漂，這讓ASML開始擔(dān)憂投入巨資研發(fā)的第二代EUV光刻機能帶來多少收入。

對于ASML來說當(dāng)下更是可能面臨生存問題，今年以來全球芯片行業(yè)已步入下行階段，先進工藝產(chǎn)能面臨過剩，臺積電已計劃關(guān)閉部分EUV光刻機，SK海力士、美光科技等也表示明年大規(guī)模縮減開支，這意味著它們很可能不再采購EUV光刻機和DUV光刻機，此時中國這個客戶的重要性被進一步凸顯。

在光子芯片真正商用之前，中國仍然需要依托于現(xiàn)有的芯片技術(shù)擴張產(chǎn)能，中國期望到2025年實現(xiàn)七成芯片自給率，而2021年才達到三成多點，如此ASML如果能自由對中國銷售光刻機，中國市場對ASML來說就是雪中送炭。

中國近期的芯片設(shè)備招標(biāo)也給了ASML一記重拳，中國招標(biāo)28臺光刻機，結(jié)果中國自身的光刻機企業(yè)獲得了7臺，日本光刻機則獲得了21臺，ASML一臺訂單也沒有獲得，顯然中國芯片行業(yè)給ASML釋放了信號，光刻機不是非ASML不可。

正是在諸多不利因素影響之下，ASML如今開始轉(zhuǎn)變態(tài)度，開始尋求擺脫美國的羈絆，而爭取中國芯片的訂單，避免自己在如今的寒冬中瑟瑟發(fā)抖，這已是ASML的生死存亡之際，可以說ASML如今真的后悔了。

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