- 雙方達成協議,將針對采用 Soitec 技術生產 200mm 碳化硅(SiC)襯底進行驗證
- Soitec 關鍵的半導體技術賦能電動汽車轉型,助力工業系統提升能效
2022 年 12 月 5 日,中國北京——服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業法國 Soitec 半導體公司正式宣布,雙方在碳化硅襯底領域的合作邁入新階段,意法半導體將在未來 18 個月內對 Soitec 的碳化硅襯底技術進行驗證,在未來的 200mm 襯底制造中采用 Soitec的 SmartSiC? 技術,助力器件和模塊制造業務的發展,并有望在中期實現量產。
意法半導體汽車和分立器件產品部總裁 Marco Monti 表示:“汽車和工業市場正在加快推進系統和產品電氣化進程,碳化硅晶圓升級到 200mm 將會給我們的汽車和工業客戶帶來巨大好處。隨著產量擴大,提升規模經濟效益是很重要的。作為一家半導體垂直整合制造商(IDM),我們可以在整個制造鏈中最大化地發揮獨特的技術優勢,覆蓋從高質量襯底到大規模的前端和后端生產等環節。提高生產的良率和質量正是我們與 Soitec 開展技術合作的目的。”
Soitec 首席運營官安世鵬(Bernard Aspar)表示:“電動汽車正在顛覆汽車行業的發展。通過將我們專利的SmartCut? 工藝與碳化硅半導體相結合,SmartSiC? 技術將加速碳化硅在電動車市場的應用。Soitec的 SmartSiC? 優化襯底與意法半導體行業領先的碳化硅技術、專業知識相結合,將推動汽車芯片制造領域的重大變革,并樹立新的行業標準。”
碳化硅是一種顛覆性的化合物半導體材料,擁有優于傳統硅的特性,面向電動汽車和工業流程等領域的關鍵、高增長的功率應用,能夠提供卓越的性能和能效。它可以實現更高效的電能轉換、更輕量緊湊的設計,并節約整體系統設計成本,助力汽車和工業系統的成功。
從 150mm 晶圓發展到 200mm 晶圓,用于制造集成電路的可用面積幾乎翻倍,而每片晶圓可提供比原先多 1.8 至 1.9 倍數量的有效芯片,這將促使產能得到大幅提升。
SmartSiC? 是 Soitec 的專利技術。通過使用 Soitec 專利的 SmartCut? 技術,可以剝離出高質量的碳化硅供體晶圓薄層,并將其鍵合到低電阻率的多晶硅操作晶圓上,助力改進器件的性能和生產良率。此外,優質的碳化硅供體晶圓可被多次重復利用,進而大幅降低生產的總能耗。
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