65W快充是目前快充市場出貨的主流規格;氮化鎵具有高可靠性,能夠承受短時間過壓;將GaN用于充電器的整流管后,能降低開關損耗和驅動損耗,提升開關頻率,附帶地降低廢熱的產生,進而減小元器件的體積同時能提高效率。
四川美闊推出了一款1A2C65W氮化鎵(GaN)快充方案,快充方案支持90~264V寬輸入電壓,輸出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A,內置MGZ31N65-650V氮化鎵開關管;采用PD3.0協議IC。
空載損耗低于50mW;控制IC可支持頻率高達160 kHz,峰值效率達到91.62%,方案尺寸為60*60*30mm,功率密度達到1.5W/cm3。
電路原理圖:
充電器主控芯片采用美闊的GaN氮化鎵功率芯片MGZ31N65。其內置驅動器以及復雜的邏輯控制電路,250mΩ導阻,耐壓650V,支持2MHz開關頻率,采用8*8mm QFN封裝,節省面積。
具有良率高,驅動電路簡單,抗干擾能力強,封裝全面,動態電阻低等優勢,良率高,產能大,持續成本優化,競爭力不斷提升。
PCB布局圖:
其優勢:
1、返馳式谷底偵測減少開關損失
2、輕載Burst Mode增加效率
3、最佳效能可達91%;空載損耗低于50mW
4、控制IC可支持頻率高達160 kHz
5、系統頻率有Jitter降低EMI干擾
6、可輸出65W功率;控制IC可直接驅動GaN
◆進階保護功能如下:
(1) VDD過電壓及欠電壓保護
(2) 導通時最大峰值電流保護
(3) 輸出過電壓保護(4) 輸出短路保護
美闊65W 1A2C有線快充模塊為高功率密度設計,多接口輸出,小巧緊湊。模塊正反面均使用散熱片覆蓋,并纏繞膠帶固定。輸入線通過過孔焊接連接,便于在充電插排中應用,滿足各類手機和電源適配器、LED照明驅動器、LCD顯示器電源、帶充電界面排插…供電需求。
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