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Transphorm和偉詮電子合作發(fā)布集成式GaN SiP

可以為USB-C PD適配器和其它低功耗應(yīng)用提供結(jié)構(gòu)緊湊、具成本效益、快速面市的解決方案
2023-03-22
來源:Transphorm

  Transphorm將在APEC2023會(huì)議上展出該產(chǎn)品(展位#853)。

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  加州戈利塔和臺(tái)灣新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)與偉詮電子 (Weltrend Semiconductor Inc.,TWSE: 2436)今天宣布雙方合作推出首款系統(tǒng)級封裝(SiP)的氮化鎵電源控制芯片

  偉詮電子是用于適配器USB PD的控制器IC的全球領(lǐng)導(dǎo)者之一,新推出的WT7162RHUG24A電源轉(zhuǎn)換器控制芯片,設(shè)計(jì)用于為智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其它智能設(shè)備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器。峰值功率效率超過93%。該器件的樣品將在2023年第二季度推出。

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  位于臺(tái)灣地區(qū)新竹科學(xué)園區(qū)的偉詮電子是一家領(lǐng)先的無晶圓廠半導(dǎo)體公司,專門從事混合信號/數(shù)字IC產(chǎn)品的規(guī)劃、設(shè)計(jì)、測試、應(yīng)用開發(fā)和分銷,產(chǎn)品用于電源、電機(jī)控制、圖像處理等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。向市場推出該SiP新品,標(biāo)志偉詮電子取得一項(xiàng)重大成就,新推出的GaN SiP展示了偉詮電子對AC-DC電源市場的承諾——使用Transphorm的SuperGaN?技術(shù)提供完整的系統(tǒng)級解決方案。

  該新產(chǎn)品上市,也再一次證明Transphorm氮化鎵器件的接口簡易性和卓越性能。Transphorm將在2023年應(yīng)用電力電子會(huì)議(APEC)上首次展示這款偉詮電子的SiP(展位號為853)。兩家公司還將在會(huì)議期間發(fā)布有關(guān)WTDB_008 65W USB PD電源適配器評估板的詳細(xì)信息。

  偉詮電子總經(jīng)理林崇燾(Tony Lin)表示:“WT7162RHUG24A是業(yè)界首款公開發(fā)布的采用Transphorm GaN的SiP。能幫助制造商開發(fā)出成本更低的系統(tǒng)解決方案,因?yàn)榇私鉀Q方案需要的器件更少,使用更小的PCB,還能減少系統(tǒng)開發(fā)時(shí)間。諸多優(yōu)勢可以高效地幫助適配器制造商消除設(shè)計(jì)障礙。值得注意的是,憑借此新產(chǎn)品,偉詮電子可以進(jìn)入一個(gè)新的市場。這是我們的PWM控制器有史以來的首個(gè)SiP,證明了偉詮電子對支持大批量增長領(lǐng)域的承諾。而且,通過與GaN FET的集成提高了性能輸出水平。這是偉詮電子、Transphorm和我們共同客戶的一次共贏。”

  Transphorm總裁兼首席運(yùn)營官Primit Parikh表示:“適配器快充市場是目前氮化鎵應(yīng)用的一個(gè)快速增長領(lǐng)域。我們正在擴(kuò)大市場份額,并繼續(xù)創(chuàng)新。最近推出的這款GaN SiP,使Transphorm的GaN器件更易使用。我們很高興能將業(yè)界領(lǐng)先的SuperGaN平臺(tái)與偉詮電子的創(chuàng)新型適配器電源控制器技術(shù)結(jié)合起來。偉詮電子提供了一個(gè)領(lǐng)先的功率轉(zhuǎn)換平臺(tái),可以為適配器/快速充電器客戶打造一個(gè)簡單易用的解決方案,雙方可以利用這個(gè)平臺(tái)加速贏得這個(gè)市場。”

  WT7162RHUG24A的規(guī)格和特點(diǎn)

  新推出的SiP集成了偉詮電子的WT7162RHSG08多模反激式PWM控制器和Transphorm的240毫歐650伏SuperGaN?FET。此表面貼裝器件采用24引腳8x8 QFN封裝,可減少印刷電路板尺寸。其它主要規(guī)格包括:

  ·峰值功率效率:> 93%

  ·功率密度:26 W/in3

  ·寬輸出電壓操作:USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V

  ·最大頻率:180kHz

  ·目標(biāo)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):QR反激模式/谷值開關(guān)多模操作

  主要特點(diǎn)包括:

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