瑞薩：補充寬禁帶產線

1月11日，瑞薩電子與全球GaN功率半導體供應商Transphorm宣布雙方已達成最終協議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股，此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。

瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業和消費應用的解決方案。

為了實現更高的效率，業界正采用SiC和GaN為代表的寬禁帶（WBG）材料，此前，瑞薩已宣布建立一條內部SiC生產線，并簽署了為期10年的SiC晶圓供應協議，而現在，通過收購Transphorm，瑞薩即將擴充其WBG產品陣容。

Transphorm是少數擁有自主研發、生產和應用能力的生產廠家。Transphorm與其它GaN公司最大的不同是能夠提供GaN晶圓，其生產工廠坐落在日本，不管是生產GaN的MOCVD工藝，還是外延片都已經通過了車規級品質體系認證。Transphorm的GaN產品特點是驅動非常簡單，不管是需求0.5A或1A驅動電流，Transphorm的產品都能完全滿足。

去年11月，Transphorm在其2024財年第二季度（6-9月）業績報告中透露，正在尋找買家。

據悉，此前Transphorm已與Microchip、Nexpria、FUJITSU、KKP、AFSW、YASKAWA安川電機、MARELLI等眾多廠商達成戰略合作，并在2020年成功在美國上市，2022年2月17日，Transphorm宣布其普通股已獲準在納斯達克資本市場上市。

英飛凌：收購GaN龍頭

2023年10月25日，英飛凌宣布完成收購GaN系統公司（GaN Systems），這一收購轟動一時，引發人們對于GaN市場格局的猜想。根據此前在2023年3月2日的宣告，這筆“全現金”收購交易斥資8.3億美元。

據集邦咨詢數據顯示，按照2022年的營業收入計算，Power integrations以20%的市占率排名第一，其次為Navitas（17%）、英諾賽科（16%）、EPC（15%）、GaN Systems（12%）、Transphorm（9%）等。按照這樣的數據計算， 收購后，英飛凌市場份額可提升至15% ，最終可與EPC并列第四。

目前，英飛凌共有450名GaN技術專家和超過350個GaN技術專利族。GaN Systems則成立于2008年，GaN Systems的產品以650V和100V表貼GaN單管為主，知名產品包括MacBook Pro標配的全球首款140W PD3.1快充，其搭載的是GaN Systems 650V GaN，三星、戴爾、哈曼卡頓、SATECHI等均是其客戶。

GaN Systems采用的是業界常見的Fabless模式，專注GaN研發、應用、創新。此前與TSMC合作進行器件生產，不但產品上自給自足，同時也與業界知名電源控制器企業合作開發了半橋GaN，率先在世界500強級別客戶量產商用。此外，GaN Systems曾與寶馬簽署GaN產能保證協定，同年又與最大的汽車一級供應商大陸集團拆分出的緯湃科技（Vitsco）達成戰略合作，共同開發GaN功率器件。

英飛凌一直通過收購不斷完善自己的產品線，如今成為少數同時涉足GaN、SiC、控制器、MCU等全方位芯片生產設計的企業。

通過并購GaN Systems，英飛凌不但可以快速豐富產品線、客戶群，還能將GaN Systems積累的GaN技術與英飛凌先進的8～12寸晶圓廠、生產制程相結合，將GaN應用帶上新高度。成為業界少有同時提供高壓、低壓GaN產品線的原廠，攻克傳統硅難以解決的工程電源技術難題。

根據Yole此前評論，此次投資是較為大膽的決定，英飛凌目前占據電力電子市場近20%～25%份額，如果能在2028年功率GaN行業市場份額達到20億美元時獲得類似份額，英飛凌可能會看到對收入的巨大影響。

值得注意的是，英飛凌并非第一次涉足GaN。2014年，英飛凌以30億美元收購國際整流器公司（IR），彼時便獲得GaN、 IGBT等功率半導體產線，并加速提升300mm晶圓產能。

三星電子：也要進軍GaN

2023年6月，三星電子宣布即將進軍GaN市場，將從2025年起，針對消費、數據中心和汽車應用開放8英寸GaN功率半導體代工服務。

去年3月，有報道指出，三星已支出約2000億韓元，準備開始生產SiC與GaN半導體，用于電源管理IC。同時計劃采用8英寸晶圓來生產這類芯片，跳過多數功率半導體業者著手的入門級6英寸晶圓。

此前，臺積電、聯電、世界先進等各大代工廠均已布局第三代半導體。比如，臺積電于2014年在6英寸晶圓廠制造GaN，2015年生產用于低壓和高壓應用GaN，2017年開始量產GaN-on-Si。

汽車是主力增長市場

GaN時常被人用來與SiC作比較，雖然它沒有SiC發展時間久，但依舊憑借寬禁帶、高擊穿電壓、高熱導率、高飽和電子漂移速度高和強抗輻射能力等特點占據優勢。

雖然GaN起步于快充，但它的應用領域遠不止消費電子領域，包括微波射頻、電力電子和光電子三大領域：微波射頻包括 5G 通信、雷達預警、衛星通訊等，電力電子包括智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子等，光電子方向包括LED、激光器、光電探測器等。

特別在車用功率器件領域，GaN功率器件市場份額一直保持穩定增長。

Yole此前預測顯示，GaN市場將在2028年達到20.8億美元，2022年~2028年復合增長率將會保持在44%。其中，汽車和通信就是GaN兩個高速增長的市場。

汽車領域ADAS汽車LiDAR正在利用100V GaN器件，此外，在動力總成中采用GaN已經從可行性問題演變為時間問題，近十年來多數廠商一直專注于車載充電器（OBC）和DC/DC領域展開合作。

Yole在此前的預測中表示，GaN增長正在放緩腳步，但事實上，GaN正不斷擴大其應用，并在近兩年內有望不斷突破。原因涵蓋兩個方面：一是GaN與原有硅代工路線極為相似，但GaN工廠產能擴充不是問題，二是SiC大功率優勢GaN也可以通過多路串聯解決，大量廠商也正推出相應的解決方案，用于汽車、PC服務器領域。

此外，2023年9月，日本OKI與信越化學聯合開發了一項新技術，將實現低成本制造垂直GaN功率器件，有望將制造成本降至傳統制造成本的10%。也就是說，GaN的材料成本有望下降90%，屆時GaN將會更具優勢。

國內企業方面，三安光電、華潤微、英諾賽科、賽微電子、珠海鎵未來等廠商正在馬不停蹄地加速布局GaN并推進產品落地和商用。

可以說，新的一年，GaN的整體格局將會擁有更大的看點，而它的未來也是一片光明。