4 月 24 日消息,根據韓媒 Bridge Economy 報道,三星和 AMD 公司簽署了價值 4 萬億韓元(當前約 210.8 億元人民幣)的 HBM3E 供貨合同。
報道稱三星和 AMD 簽署的這份合同中,AMD 采購三星的 HBM,而作為交換三星會采購 AMD 的 AI 加速卡,但具體換購數量目前尚不清楚。
三星日前表示將于今年上半年量產 HBM3E 12H 內存,而 AMD 預估將會在今年下半年開始量產相關的 AI 加速卡。
三星 HBM3E 12H 支持全天候最高帶寬達 1280GB/s,產品容量也達到了 36GB。相比三星 8 層堆疊的 HBM3 8H,HBM3E 12H 在帶寬和容量上提升超過 50%。
HBM3E 12H 采用了熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術,使得 12 層和 8 層堆疊產品的高度保持一致,以滿足當前 HBM 封裝的要求。因為行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題,這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處。
三星一直在努力降低其非導電薄膜(NCF)材料的厚度,并實現芯片之間的間隙最小化至 7 微米(μm),同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其 HBM3E 12H 產品的垂直密度比其 HBM3 8H 產品提高了 20% 以上。
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