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(更新:三星否認)消息稱三星HBM內存芯片通過英偉達測試

將開始大規模生產
2024-07-04
來源:IT之家

7 月 4 日消息,韓媒 NewDaily 報道稱,三星電子通過了英偉達HBM3e(高帶寬內存)質量測試。三星即將開始大規模生產 HBM 內存芯片,并就供應問題與英偉達展開談判。

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▲ 三星電子 HBM3e 12 層產品

三星電子最近收到了來自英偉達的 HBM3e 質量測試 PRA(產品準備批準)通知。這是三星應英偉達要求,派遣負責 HBM 內存開發的高管前往美國一個多月后取得的成果。

據IT之家此前報道,今年 3 月,英偉達 CEO 黃仁勛表示已經開始驗證三星的 HBM 內存芯片。5 月有消息稱三星 HBM 內存芯片因發熱和功耗問題未通過英偉達測試。黃仁勛在 2024 臺北國際電腦展上,表示仍在認證三星公司的 HBM 內存,否認三星 HBM 未通過任何英偉達測試。

外媒稱,三星迫切需要向英偉達供應 HBM,通過英偉達測試意味著從下半年開始,HBM 的業績可能實現“飛躍”。受此消息影響,三星電子股價 7 月 4 日上漲 3.6%,達到 4 月 12 日以來的最高點;SK 海力士(英偉達 HBM 內存的主要供應商之一)股價下跌 4.7%,創 6 月 24 日以來最大跌幅。


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