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Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產品組合可提供更高的設計靈活性

針對開關應用中的低RDSon、低尖峰和高效率進行了優化
2024-08-13
來源:Nexperia

  奈梅亨,2024年8月7日:Nexperia今日宣布,公司正在持續擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產品組合,并推出了幾款采用行業標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優化,可在服務器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇,RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。

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  許多MOSFET制造商在將其器件的開關性能與其他產品進行對比時,特別看重是否能通過低QG(tot)和低QGD實現高效率。然而,通過廣泛的研究,Nexperia發現Qrr同樣重要,因為它會影響尖峰表現,進而影響器件開關期間產生的電磁干擾(EMI)量。通過專注于研究該參數,Nexperia大大降低了其NextPower 系列80/100 V MOSFET產生的尖峰水平,同時也降低了它們產生的EMI量。如果最終用戶的應用在后期未通過電磁兼容性(EMC)測試,而需要重新設計時,這將降低添加額外外部組件所需的高昂成本,從而為最終用戶帶來顯著的益處。

  與當前可用的器件相比,這些新MOSFET的導通電阻(RDSon)降幅高達31%。Nexperia還計劃在今年晚些時候進一步加強其NextPower 80/100 V產品組合,再發布一款LFPAK88 MOSFET,在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS(on),同時在產品組合中引入功率密集型CCPAK1212。為了進一步支持這些器件的設計導入和驗證,Nexperia屢獲殊榮的交互式數據手冊,為工程師提供了全面且用戶友好的器件行為分析。




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