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三星電子展望未來HBM內存

定制版本縮減I/O面積占用、基礎芯片內置加速器
2025-03-17
來源:IT之家
關鍵詞: 三星 HBM 內存

3 月 17 日消息,三星電子代表 Song Jai-hyuk 在 2 月的 IEEE ISSCC 2025 全體會議演講中對 HBM 內存的未來技術演進進行了展望,提到了通過定制版本縮減 I/O 面積占用和在基礎芯片中直接集成加速器單元兩種思路。

定制 HBM

目前的 HBM 內存在 xPU 處理器和 HBM 基礎裸片 Base Die 之間采用數以千計的 PHY I/O 互聯,而定制版本則采用更高效率的 D2D 裸片對裸片互聯,這一結構縮短了兩芯片間距、減少了 I/O 數量、擁有更出色的能效。

同時,D2D 互聯的面積占用較現有方式更低,這為 xPU 和 Base Die 塞入更多芯片 IP 創造了可能。

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另一點值得注意的是,在定制 HBM 結構中,LPDDR 控制器 / PHY 和 HBM 控制器從 xPU 芯片移動到了 HBM Base Die 中。

3D 集成 HBM

目前的 HBM 內存與處理器采用 2.5D 封裝,而這一結構也意味著 HBM 的功耗大部分浪費在數據搬運的過程中。

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未來的 HBM 有望采取 3D 集成的形式,即直接在基礎芯片中內置加速器單元,加速器通過 TSV 硅通孔與 DRAM 芯片直連,這一設計省略了現有結構中需要經過的復雜中介層,提高了數據傳輸能效。


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