近年來,在科技飛速發展的浪潮推動下,可穿戴設備領域迎來了爆發式增長,產品種類愈發豐富,形態持續創新。從產品形態來看,新型可穿戴設備正朝著隱形化、輕量化、柔性化的方向邁進,更好地貼合人體,融入日常生活場景中。
在市場層面,全球可穿戴設備市場規模持續擴張。據Canalys數據顯示,2024年全球可穿戴設備市場出貨量達1.93億臺,同比增長4%。其中,新興市場表現尤為突出,出貨量同比增幅超過20%,展現出巨大的市場潛力。
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技術升級:雙輪驅動可穿戴設備發展
未來,可穿戴設備的技術升級將主要聚焦兩大方向:一是與AI深度整合。隨著生成式AI技術的爆發式增長,為可穿戴設備開辟了新的發展路徑??纱┐髟O備終端廠商也在不斷探索AI技術與產品相結合,以期釋放更大的市場發展潛力;
二是顯示技術創新。在顯示技術方面,可穿戴設備也取得了顯著進展。目前,60%的腕表采用了OLED屏幕,1.8英寸以上大屏占比增至40%,兼顧了高清晰度和低功耗的需求。
東芯半導體多存儲產品矩陣,賦能可穿戴設備未來發展
在即將于2025年4月15-17日舉辦的慕尼黑上海電子展上,針對可穿戴設備的新技術和新產品也將是展會的焦點之一。
隨著可穿戴設備超小型化、輕量等方向發展,對于用于存儲數據的存儲器的要求也越來越高。此次,東芯半導體(展位號:N5.517)將攜其應用于可穿戴設備的存儲芯片產品亮相慕尼黑上海電子展,并同時展出TWS耳機、智能手表,以及手環等多個可穿戴解決方案。
東芯半導體(展位號:N5.517)深耕存儲芯片領域,聚焦于中小容量的NAND/NOR/DRAM芯片的研發、設計和銷售,是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發設計公司。
在SPI NAND Flash產品領域,東芯半導體(展位號:N5.517)的產品具有引腳少、封裝尺寸小且形式豐富(如WSON、BGA、LGA等),且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器,帶有內部ECC模塊,使其在滿足數據傳輸效率的同時,節約了空間,提升了穩定性。
目前,東芯半導體(展位號:N5.517)的SPI NAND Flash產品擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程,并已經推進至1xnm先進工藝制程。產品可提供1.8V/3.3V兩種電壓,不僅能滿足常規應用場景,使其在目前日益普及的由電池驅動的移動互聯網及物聯網設備中保持低功耗,有效延長設備的待機時間,也更靈活地適用于不同應用場景。
在DRAM產品領域,東芯半導體(展位號:N5.517)的DDR3(L)系列可以傳輸雙倍數據流,具備高帶寬、低延時等特點,在通訊設備、移動終端等領域也應用廣泛。LPDDR系列產品具有LPDDR1、LPDDR2,以及LPDDR4X三個系列。LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V,LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V,LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V,非常適合應用于各種移動設備中。未來,LPDDR系列產品將廣泛應用于可穿戴/遙控設備等便攜式產品中。
MCP在MCP系列產品領域,MCP可將Flash和DDR合二為一進行封裝,簡化走線設計,節省組裝空間,高效集成電路,提高產品穩定性。東芯半導體(展位號:N5.517)具有NAND Flash和DDR多種容量組合,Flash和DDR均采用低電壓設計,核心電壓1.8V,可滿足目前移動互聯網和物聯網對低功耗的需求。
如前所述,可穿戴設備對芯片的功耗、尺寸,以及生物兼容性等方面的要求越來越高。對此,東芯半導體(展位號:N5.517)也進行了積極布局。以其大容量、低功耗、ETOX工藝的NOR Flash為例,該產品具備1.8V低工作電壓,封裝可選擇WLCSP晶圓級封裝技術,該封裝技術最大的特點就是能有效縮減封裝體積,可滿足可穿戴式產品輕薄短小的特性需求。此外,東芯半導體(展位號:N5.517)的NOR Flash產品覆蓋64Mb-2Gb中高容量,可根據不同容量的目標客戶群進行精確定位,幫助其在性能、功耗和性價比之間獲得絕佳平衡。
AI技術深刻影響可穿戴設備領域
AI技術的發展將對可穿戴設備領域戴帶來深刻的影響和變革。從智能化升級到健康醫療領域的深度應用,再到全新交互方式的探索,AI正在重塑可穿戴設備領域的未來發展方向。具體表現為:功能范式的更新,即從基礎數據采集向主動健康管理演進,通過機器學習算法,實現運動監測與個性化訓練方案生成,健康指標分析與疾病預警等核心功能;交互能力增強,搭建大數據模型能夠使得可穿戴設備交互能力實現突破,使可穿戴設備從輔助工具成為真正的人體增強系統,賦能健康監護、認知增強和環境互動等方面。典型的應用場景包括實時生理參數異常檢測、動態運動姿態矯正、慢性病智能管理等。
此外,隨著AI技術的融入與不斷發展,未來可穿戴設備芯片的技術競爭焦點可能會更注重于算的方面,在醫療健康無感化監測與自主智能交互等方面扮演更加重要的角色。目前,為順應科技的發展,進一步豐富其產品品類,東芯半導體(展位號:N5.517)將以存儲為核心,向“存、算、聯”一體化領域進行技術探索,拓展行業應用領域,優化業務布局。
可穿戴設備數據隱私與合規性挑戰
目前,可穿戴設備正無縫融入到我們的日常生活中,為我們的健康管理和便利性帶來了極大的提升。但由于這些設備具有數據收集功能和網絡連接特性,它們收集的用戶生物特征數據(如心率、睡眠模式、地理位置等),一旦泄露或被濫用,可能會對用戶造成嚴重的隱私威脅。
針對這一問題,東芯半導體(展位號:N5.517)認為需要以技術手段確保數據全生命周期的安全可控,而可靠高效的存儲芯片就起到了至關重要的作用。東芯半導體(展位號:N5.517)的“局部自電位升壓操作方法”、“步進式、多次式編寫/擦除操作方法”、“步進式、多次式編寫/擦除操作方法”、“內置8比特ECC技術”、“提高擦除可靠性技術”、“數據自動刷新技術”,以及“具有垂直溝道晶體管的存儲器制造方法”等多個產品設計核心環節中所涉及的核心技術,都旨在提高存儲產品的可靠性,用自主的創新能力不斷提高產品的可靠性水平,為客戶提供高品質的存儲產品及解決方案。
結語
在萬物互聯的時代,可穿戴設備作為關鍵一環,正迎來前所未有的發展機遇。AI技術與可穿戴設備的深度融合將進一步推動該市場的發展。然而,數據隱私與合規性挑戰也不容忽視,需要整個行業共同努力應對。歡迎前往慕尼黑上海電子展,了解可穿戴設備領域最新的技術發展趨勢。
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