![]() |
??? 新25V芯片組結合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術,在SO-8占位面積及0.7mm纖薄設計中實現了高密度、單控制和單同步MOSFET解決方案。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特點包括:非常低的導通" title="導通">導通電阻 (RDS(on))、柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) ,以實現高效率和散熱性能,并可實現每相超過25A的工作。 ??? IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:“IRF6710S2控制MOSFET具備極低" title="極低">極低的柵極電阻 (Rg) 及電荷,而且當與IRF6795M和IRF6797M這些集成了肖特基整流器的同步MOSFET共同設計時,能夠實現高頻、高效DC-DC轉換器解決方案,在整個負載范圍發揮卓越性能。” ??? IRF6710S擁有0.3Ω的極低柵極電阻和3.0 nC的超低米勒電荷 (Qgd) ,可以大幅減低開關損耗,使這些器件非常適合作為控制MOSFET使用。 ??? IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on),可以顯著減少導通損耗,而集成的肖特基整流器可以降低二極管導通損耗和反向恢復損耗,使這些新器件" title="新器件">新器件非常適合大電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面積,能輕易由原有SyncFET器件轉向使用新器件。 產品基本規格如下:
? 詳細信息可以登錄IR 網站查詢:http://www.irf.com/whats-new/nr080710.html。 新器件符合電子產品有害物質限制規定 (RoHS),并已接受批量訂單。
國際整流器公司 (簡稱IR,紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能運算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ,是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。 IR成立于1947年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR全球網站:www.irf.com,亞洲網站:www.irf-asia.com ,中國網站:www.irf.com.cn。 |