安森美半導體擴展業界領先的高能效、低 Vce(sat) 雙極結晶體管產品系列,包括新的封裝選擇
2007-07-23
作者:安森美
全球領先的電源管理半導體解決方案" title="半導體解決方案">半導體解決方案供應商安森美半導體 (ON Semiconductor,美國納斯達克" title="納斯達克">納斯達克上市代號:ONNN)推出采用先進硅技術的 PNP 與 NPN 器件,豐富了其業界領先的低 Vce(sat) 雙極結" title="雙極結">雙極結晶體管 (BJT) 產品系列。這兩種新型晶體管與傳統的 BJT 或平面 MOSFET相比,不僅實現了能效的最大化,而且還延長了電池的使用壽命。最新的低 Vce(sat) BJT 包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET 及 SC-88等多種封裝形式,非常適用于多種便攜式應用。?
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安森美半導體" title="安森美半導體">安森美半導體分立產品部副總裁兼總經理 Mamoon Rashid 指出:“安森美半導體提供目前市場上最豐富的高性能 BJT 選擇。我們的 Vce(sat) BJT 是低功率耗損和高散熱性能領域的領先產品,為電源控制提供了非常經濟的解決方案。這種器件非常適用于移動電話和汽車等多種開關應用 (strategic switch),為設計人員提供高性價比的解決方案,從而有助于他們推出領先的產品。”?
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安森美半導體最新推出的 NSSxxx 低 Vce(sat) 表面貼裝器件專為對能效控制要求極為嚴格的低壓轉換應用而設計。電流為1 A時,該器件可提供45 mV的超低飽和電壓及300倍的電流增益。這種低 Vce(sat) BJT 還提供超過8 kV的較高的靜電放電 (ESD) 容差,因此能在突發浪涌情況下自我保護,避免受損。由于實現了出色的電氣性能及較低的溫度系數,因此這種器件可提高能效,在無需額外 ESD 保護電路就能實現更好的電池節能。相對于 MOSFET而言,這種器件比較適中的開關速度降低了噪聲諧波,因此更適于需要控制電磁干擾(EMI)的應用。? ?
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安森美半導體的低 Vce(sat) BJT 系列產品采用多種業界領先的封裝,包括SOT-23、SOT-223、SOT-563、WDFN3、WDFN6、ChipFET、SC-88、SC74和TSOP6等。每10,000片的批量單價為0.14~0.27美元。?
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如欲了解安森美半導體的全系列低 Vce(sat) BJT 產品詳情,歡迎訪問:www.onsemi.com.cn,請用 NSS 作為關鍵詞進行搜索。您也可下載 Spice 模型、應用注釋及設計理念等。?
如欲了解更多詳情,歡迎垂詢張華艷,其電子郵件為:meggie.zhang@onsemi.com。?
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關于安森美半導體(ON Semiconductor)?
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擁有跨越全球的物流網絡和強大的電源半導體器件系列,是電源、計算機、消費產品、便攜/無線、汽車和工業等市場應用的工程師、采購人員、分銷商、及電子代工制造商之首選電源方案供應商。欲查詢公司詳情,請瀏覽安森美半導體網站:http://www.onsemi.com.cn。?