基于場效應晶體管的高壓電脈沖產生技術
所屬分類:解決方案
上傳者:news
文檔大小:250 K
標簽: ADI TI FPGA
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文檔介紹:以高速MOSFET器件為基礎,對超快高壓電脈沖產生技術進行了實驗研究。采用多路并聯的高速MOSFET與感應疊加相結合的形式,得到脈沖半寬度為300 ns、上升時間約為60 ns、時間間隔600 ns的超快方波雙脈沖;在負載電阻為11.5 Q時,可以產生365 A的脈沖峰值電流,并且能夠提供1.5 Mw 的峰值輸出功率。
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