選擇文件 并聯增強型氮化鎵場效應晶體管提高轉換器性能
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標簽: ADI TI FPGA
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文檔介紹:氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體,屬于所謂寬禁帶半導體之列。它是微波功率晶體管的優良材料,也是藍色光發光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。   增強型氮化鎵(eGaN)FET與硅功率MOSFET相比有許多優勢,而且就像MOSFET一樣,許多設計人員想通過并聯器件來提高其轉換器的功率性能。因為eGaN FET的開關速度要比商用MOSFET快十倍,所以并聯會帶來許多新挑戰。這篇文章分成兩部分,討論了這些挑戰并提出了如何獲得優異性能的建議。
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